存儲器文章最新資訊

基于DSP的單兵背負(fù)式短波數(shù)字通信系統(tǒng)

基于DSP的單兵背負(fù)式短波數(shù)字通信系統(tǒng),二十一世紀(jì)的戰(zhàn)爭將以數(shù)字化戰(zhàn)場為背景,而數(shù)字化戰(zhàn)場的一個重要特點是信息可以直達(dá)單個士兵。采用基于軟件無線電的思想,應(yīng)用第三代數(shù)字信號處理器 TMS320C31和數(shù)模轉(zhuǎn)換芯片TLC32044等器件構(gòu)成短波自適應(yīng)調(diào)制解調(diào)器的
關(guān)鍵字： DSP 通信 A/D 存儲器電池

NAND Flash存儲器管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲器管理算法映射物理地址

抗SEU存儲器的設(shè)計的FPGA實現(xiàn)

抗SEU存儲器的設(shè)計的FPGA實現(xiàn),　　O 引言　　隨著我國航空航天事業(yè)的迅猛發(fā)展，衛(wèi)星的應(yīng)用越來越廣泛。然而，太空環(huán)境復(fù)雜多變，其中存在著各種宇宙射線與高能帶電粒子，它們對運行于其中的電子器件會產(chǎn)生各種輻射效應(yīng)。輻射效應(yīng)對電子器件的影響
關(guān)鍵字：實現(xiàn) FPGA 設(shè)計存儲器 SEU

基于半導(dǎo)體存儲芯片K9WBG08U1M的大容量存儲器

基于半導(dǎo)體存儲芯片K9WBG08U1M的大容量存儲器,　　O 引言　　隨著航空航天航海等技術(shù)的發(fā)展，無論是星載還是艦載方面的技術(shù)要求，都迫切希望有一種能夠在惡劣環(huán)境(高溫、低溫、振動)下正常工作，并且易于保存的大容量視頻記錄設(shè)備，以滿足數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)方面的要求
關(guān)鍵字：大容量存儲器 K9WBG08U1M 芯片半導(dǎo)體存儲基于

相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較

相變存儲器(PCM)與存儲器技術(shù)的比較,　　相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和MLC NAND快閃存儲器以及硬碟驅(qū)動器(HDD) 和固態(tài)硬碟(SSD)等系統(tǒng)解決方案，*估PCM的相對成本、效能和可靠度，可以了解PCM適用于哪里些應(yīng)用領(lǐng)
關(guān)鍵字：存儲器比較技術(shù) PCM 相變

基于嵌入式視頻存儲的專用文件系統(tǒng)設(shè)計

基于嵌入式視頻存儲的專用文件系統(tǒng)設(shè)計,摘要: 基于嵌入式視頻存儲的特點，分析目前已有的文件系統(tǒng)在視頻應(yīng)用上的不足，提出了適合硬盤錄像機的專用文件系統(tǒng)設(shè)計方案，并從數(shù)據(jù)存儲、檢索、讀取和恢復(fù)等方面闡述了設(shè)計思想及具體實現(xiàn)。經(jīng)過在相關(guān)產(chǎn)品上的應(yīng)
關(guān)鍵字：視頻存儲器數(shù)據(jù) 電路通信 ARM

基于TMS320C6713B的實時數(shù)字視頻消旋系統(tǒng)設(shè)計

摘要：針對探測器姿態(tài)變化造成的視頻圖像旋轉(zhuǎn)，提出一種基于TMS320C6713B的實時數(shù)字視頻消旋系統(tǒng)。該系統(tǒng)利用TMS320C6713B計算圖像旋轉(zhuǎn)后各點的位置，再利用FPGA進(jìn)行地址映射，得到圖像旋轉(zhuǎn)后各點對應(yīng)的灰度值。實驗
關(guān)鍵字：視頻 A／D DSP FPGA 存儲器

如何實現(xiàn)FPGA到DDR3 SDRAM存儲器的連接

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問
關(guān)鍵字： SDRAM FPGA DDR3 存儲器

基于閃爍存儲器的DSP并行引導(dǎo)裝載方法

基于閃爍存儲器的DSP并行引導(dǎo)裝載方法,TMS3.0VC5409 是TI公司推出的第一代的高性能、低價位、低功耗數(shù)字信號處理器（DSP）。與現(xiàn)在流行的TMS320C5409相比，性能提高了60%，功耗效率提高了 50%。它的應(yīng)用對象大多是要求能脫機運行的內(nèi)嵌式系統(tǒng)，如機頂盒（
關(guān)鍵字：引導(dǎo) 裝載方法并行 DSP 閃爍存儲器基于

鐵電存儲器的技術(shù)特點分析

鐵電存儲器的技術(shù)特點分析,如圖1所示，電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲器。本文將以存儲器為重點說明為何電子式電能表需要使用鐵電存
關(guān)鍵字：分析特點技術(shù) 存儲器

相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù)

相變存儲器--非易失性計算機存儲器技術(shù),　　相變存儲器(可縮略表示為PCM、PRAM或PCRAM)是一種新興的非易失性計算機存儲器技術(shù)。它可能在將來代替閃存，因為它不僅比閃存速度快得多，更容易縮小到較小尺寸，而且復(fù)原性更好，能夠?qū)崿F(xiàn)一億次以上的擦寫次數(shù)。
關(guān)鍵字：存儲器技術(shù) 計算機易失性相變

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM),　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經(jīng)過一個世紀(jì)多的演進(jìn)：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預(yù)付費電能表 (pre-paid) 復(fù)費率電能
關(guān)鍵字：存儲器 F-RAM 使用需要電子電能表為何

三星斥資2.75億美元　取得美光10年交叉授權(quán)

　　根據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)指出，美國存儲器大廠美光(Micron)日前除了報出亮眼的財報結(jié)果以外，還獲得三星電子(Samsung Electronics)長達(dá)10年交叉授權(quán)的協(xié)議，美光將取得權(quán)利金2.75億美元。　　彭博(Bloomberg)則報導(dǎo)指出，三星已經(jīng)同意支付美光2.75億美元的權(quán)利金，其中的2億美元，將在10月12日前支付，另外還有4,000萬美元，將在2011年1月31日前支付，最后還有3,500萬美元則將在2011年3月31日以前，全部支付完畢。　　不過，除此之外，美光婉拒提
關(guān)鍵字：三星存儲器

海力士：股份收購者將出現(xiàn)

　　據(jù)韓國電子新聞報導(dǎo)，目前韓國有幾間業(yè)者對海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長金鍾甲表示，韓國企業(yè)中有業(yè)者表示對海力士股份有興趣，早晚會對外宣布收購立場。　　金鍾甲在接受電子新聞訪談時表示，由于存儲器產(chǎn)業(yè)競爭構(gòu)圖產(chǎn)生變化，且海力士的競爭力更強化，韓國業(yè)者對海力士的表現(xiàn)皆抱持正面的態(tài)度。　　雖然主要是由債權(quán)團(tuán)執(zhí)行海力士股份拋售，金鍾甲以理事會議長身分也積極接觸海力士潛在收購者。海力士近期以來對拋售股份的官方說法維持沒有表明收購意愿的企業(yè)，但金鍾甲此次的發(fā)言則暗示禁止拋售作業(yè)已進(jìn)行
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挑戰(zhàn)快閃存儲器　首款CBRAM預(yù)計明年亮相

　　一家股東包括半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)的新創(chuàng)存儲器公司Adesto Technologies，正準(zhǔn)備推出首款導(dǎo)電橋接隨機存取存儲器(conductive-bridging RAM， CBRAM )。 CBRAM 是一種低耗電、與CMOS兼容的存儲器，可客制化應(yīng)用在廣泛的離散式或嵌入式市場，該公司打算最快在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。　　在近日于美國舉行的非揮發(fā)性存儲器研討會(Non Volatile Memory Conference)上，Ades
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]