PC產業衰退以及市場對DRAM的需求趨緩，半導體產業銷售額將因為PC與智慧型手機需求衰弱，而呈現為期兩年的低潮。
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存儲器 美光
英特爾2015年第二季度(4～6月)的財報顯示，其銷售額為同比減少5%的131.95億美元，營業利潤為同比減少25%的28.96億美元。該公司CEO布萊恩·柯贊尼奇(Brian Krzanich)就本季度的業績表示，“營業利潤的70%來自數據中心、存儲器和IoT，彌補了形勢嚴峻的個人電腦領域的業務。顯示出了本公司業務構成的變化”。
從業務部門來看，客戶端計算業務的銷售額為同比減少14%的75.37億美元，營業利潤為同比減少38%的16.02億美元。面向平板電
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英特爾 存儲器 IoT
過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。
海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現晶片至晶片間連接。
圖1：HBM模組橫截面示意圖
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海力士 存儲器
過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。
海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現晶片至晶片間連接。
圖1顯示四個DRAM晶片與一個邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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海力士 存儲器
1. DMA訪問存儲器的性能
EDMA3架構支持很多功能，可以實現高效的并行數據傳輸。本節討論影響它性能的很多因素，如存儲器類型，地址偏移等。
1.1 DMA傳輸的額外開銷
一般的傳輸時延被定義為EDMA被觸發到真正的數據傳輸開始的時間。由于數據傳輸開始的時間無法用簡單的方法測量，所以我們用最小數據單元的傳輸完成時間來代表DMA傳輸的時延或額外開銷。根據不同源/目的地址的組合，這個值會有所不同。表4列出了在1GHz C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上測得的從
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TMS320C6678，存儲器
摘要
TMS320C6678 有8 個C66x核，典型速度是1GHz，每個核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM和512KB LL2 SRAM;所有 DSP核共享4MB SL2 SRAM。一個64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM接口可以支持8GB外部擴展存儲器。
存儲器訪問性能對DSP上運行的軟件是非常關鍵的。在C6678 DSP上，所有的主模塊，包括多個DSP核和多個DMA都可以訪問所有的存儲器。
每個DSP核每個時鐘周期都可以執行最多128 b
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TMS320C6678 存儲器
導讀：數字系統中可對二進制數據進行存儲的是存儲器，FIFO、RAM等位于集成電路中可完成存儲功能的是存儲器，TF條、內存條等存儲設備也是存儲器。存儲器已廣泛存在于我們的生活中且為我們的生活提供諸多便利，接下來我們就一起來了解一下其工作原理到底是什么樣子的吧～
一、存儲器原理- -簡介
存儲器，英文名稱為Memory，顧名思義，是一種用于存儲信息的儀器，常用于計算機中的數據儲存，計算機工作所需的所有數據都被存儲在存儲器中，包含原始數據、計算過程中所產生數據、計算所需程序、計算最終結果數據等等。存
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存儲器 存儲器原理
固態硬碟(SSD)走向高速規格、低成本設計趨勢成形。快閃記憶體、SSD控制晶片、模組和系統廠商正有志一同發展低成本、高容量的三層式儲存(TLC)和3D NAND技術，同時也積極推動SSD由現有SATA、PCIe AHCI轉向更高速PCIe NVMe介面的新設計，期透過降低成本和提高儲存效能的雙重手段，刺激SSD市場滲透率。
SanDisk資深副總裁兼技術長Kevin Conley提到，4G LTE連線功能結合SSD后，將能為各種消費性電子提供順暢的網路互連，更加貼近物聯網理想。
SanDi
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SSD 存儲器
大陸扶植半導體產業開始執行上路，近7成資金將挹注在IC制造/設備領域。法新社大陸設立大基金扶植半導體產業開始執行上路，半導體業者透露，分5年總計人民幣6，000億元資金有近7成將挹注在IC制造/設備領域，重點扶植項目包括邏輯芯片、DRAM及NAND Flash芯片等，其中，邏輯芯片將以中芯國際為首，至于存儲器領域將先從DRAM芯片切入，長期目標是大陸內需50%半導體芯片全數自制。
半導體業者指出，大陸國家IC產業投資基金，每年提撥人民幣1，200億元投入自建半導體產業鏈，初期規劃5年、共人民幣6
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存儲器 DRAM
DRAM雙雄南亞科(2408)與華亞科5月營收均較4月呈現個位數衰退。目前DRAM產業正處于淡季效應遞延狀態，產品價格持續下滑，也影響業者業績。
南亞科5月合并營收為37.98億元，月減2.9%，年減8.6%;前五月合并營收為197.39億元，年增1%。華亞科5月合并營收暫估數為55.12億元，月減5.5%，年減26.3%;前五月合并營收暫估數為297.97億元，年減14.1%。
因PC市況不振，連帶使PC DRAM價格也因需求疲軟而下跌，今年上半預計會維持跌勢，也影響到業者營運表現。但業
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DRAM 存儲器
引言：
FRAM存儲器可為可穿戴電子產品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。
正文：
鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業控制系統、工業自動化、關鍵任務空間應用、高可靠軍事以及各種汽車應用。使FRAM適用于這些應用的特征也使之成了可穿戴應用的可行技術，因為FRAM技術與生俱來的附加屬性包括低功耗與高耐用性。
電子可穿戴設計的一個主要注意事項是在提升可靠性的同時降低總體功耗。設計人員必須在增加功能的同時降低系統功耗，以便延長電池使用壽命。與此同時，嵌入式軟件的大小和復雜性
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FRAM 存儲器
Trendforce 旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查顯示，全球行動式記憶體總營收在2015年首季達到35.76億美元，季衰退不到1%，占 DRAM 總產值的29.8%，并且有持續擴大趨勢。DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，第一季主要受惠于三星(Samsung)來自23nm產出增加，行動式記憶體整體出貨與上季增加8.2%，加上行動式記憶體平均銷售單價與其他產品別相對抗跌，全球行動式記憶體整體營收規模持續擴大。
吳雅婷表示，2015上半年行動式記憶體價格呈現穩定小跌的
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存儲器 DRAM
Trendforce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新調查顯示，今(2015)年第一季全球行動式記憶體總營收為35.76億美元(詳如下圖)，季減0.9%。DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，上半年行動式記憶體價格呈現穩定小跌，但隨著LPDDR4導入市場后，預計能衍生出更多商機，而搭載3GB LPDDR4的三星Galaxy S6出貨也比預期中更佳，加上iPhone新機將搭載2GB的預期心態下，即便價格趨勢向下但跌幅也非常有限。
目前行動式記憶體占整體DRAM供應已接近4成，隨
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存儲器 LPDDR4
三星半導體部門資深副總裁Jeeho Baek周四表示，今年在記憶體類半導體投資規模將比照去年，估計最高將達100億美元之譜。Baek指出，DRAM與NAND記憶體產出比重規劃為7比3，但會視市場需求作彈性調整。
由于看好未來需求，三星對記憶體項目的投資一點都不手軟，其位在南韓華城，也是三星目前記憶體晶片的主要生產基地，年底還有一座新廠將準備投產。
另外，三星日前也宣布加碼在南韓平澤(Pyeongtaek)蓋新廠區，總投資規模來到25.6兆韓圜。新工廠預計下個月動工，主要也是生產DRAM記憶
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三星 存儲器
1 最初的技術
光敏材料可根據有光照與否來更改其阻抗或導電性。早期的黑白視頻系統(如上世紀50年代RCA的光導攝像管攝像系統)采用真空管，以通過光敏硒板進行圖像傳感。
電子束將掃描硒板，產生與光量直接相關的電流，并在確切的時間射向硒板，進而由光柵掃描的顯像管產生初步的電子視頻信號，便于進行長距離傳輸。CRT電視再以反序接收信號，通過電子束掃描熒光屏重現圖像的對應光等級。
數十年來，視頻的用途一直僅限于單色傳感與實時顯示圖像。傳感器前的顏色過濾器會將模擬級別設置為組成色度，來創建顏色傳
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光敏 傳感器 CCD 機器視覺 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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