俄羅斯的科學家開發出一種超導記憶體單元的控制系統，只需不到1奈秒(ns)的時間，就能實現較當今所用的類似記憶體更快幾百倍的讀取與寫入速度。
來自莫斯科物理技術學院(MIPT)與莫斯科國立大學(Moscow State Univeristy)的科學家在最近一期的《應用物理快報》(Applied Physics Letters)中發表這項研究成果。
這項理論性的研究成果預測在復雜的Josephson Junction超導元件中存在雙穩態狀態。建置這種元件可能需要進行超冷卻作業，使其無法真正落實
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存儲器
三星半導體事業也有潛在危機，比如大客戶蘋果轉投臺積電，然而三星的策略就是以對手跟不上的高附加價值產品克服困境。
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存儲器 三星
記憶體產業中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態隨機存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優勢的非揮發性記憶體。如今，透過磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，可望解決開發這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題
遺憾的是，實際讓非揮發性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(Eindhoven University of Technolo
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MRAM 存儲器
日經新聞報導,SK海力士周一宣布，將砸15.5兆韓元(125億美元)，再蓋一座新存儲器工廠。
新廠選址在南韓忠清南道省北部，與原海力士舊廠比鄰。據日經新聞報導，海力士已取得25萬平方公尺的土地面積，并與清州市政府簽訂合作備忘錄(MOU)，新廠預計將在2018年正式動工、2019年投產。
新廠確切的產品目前還不清楚，不過海力士某官員暗示應該為NAND存儲器，若新廠全部投入生產NAND存儲器，海力士現有NAND存儲器產能將擴增超過兩倍。
此外，海力士亦宣布已開始在現有的清州廠量產先進的3
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SK海力士 存儲器
256GB的UFS 2.0記憶體可用來存放47部高畫質電影，還可流暢地播放Ultra HD影片
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你想要內建容量高達256GB的智慧型手機嗎?三星電子(Samsung Electronics)周四(2/25)宣布已開始量產全球首款基于Universal Flash Storage(UFS)2.0的256GB嵌入式記憶體，將可應用在新一代的高階智慧型手機。
目前全球高階智慧型手機的內建儲存容量最高都只到128GB，例如蘋果的iPhone 6s/6s Plus或三星的
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三星 存儲器
嵌入式系統的性能取決于其軟硬件能力。一個編寫合理的軟件可以利用硬件的所有能力發揮后者的最大性能。與此類似，無論軟件設計多么合理，低效的硬件都可能影響系統性能。 數十年來，傳統嵌入式系統的結構一直沒有改變。圖1顯示了一個典型嵌入式系統的框圖。一個微控制器和一個微處理器位于系統的核心。按照具體應用，系統設計人員可根據需要刪減接口和外設。如果控制器的內置存儲器不足，就需要使用閃存、SRAM、DRAM等外置存儲器。通常而言，閃存用于存儲控制器執行的代碼，而SRAM用于存儲運行時臨時變量和保存重要的應用數據塊
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SRAM 存儲器
在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會議上，NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術取得穩步進展，接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進”之外，此次的發表還涉及車載高可靠混載閃存等的應用、新型緩存及TCAM，內容 豐富。 存儲器會議共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項發表。其中有12項來自亞洲，日本有2項(內容均為非易失存儲器)。下面來介紹
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存儲器 NAND
受終端各應用部門對存儲器產品需求疲弱的影響，2015年第4季韓國第二大存儲器廠商SK海力士(SK Hynix)營收僅達4.4兆韓元，較前季4.9兆韓元衰退10%，亦較2014年同期衰退14%。
在產品價格下滑、出貨狀況不如預期，加上營業費用占營收比重攀升等影響，2015年第4季SK海力士稅后凈利僅達8,710億韓元，較前季1兆韓元衰退16.9%，不僅獲利表現不如預期，也是自2014年第4季以來連續4季衰退。
2015年第4季SK海力士DRAM部門受到PC與移動裝置需求疲弱影響，位元出貨量較
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SK Hynix 存儲器
去年10月入股威騰電子(Western Digital，WD)的紫光集團，為完成記憶體方面的布局，今年將啟動建設工廠。紫光集團董事長趙偉國日前接受財新周刊專訪時表示，紫光將會自建工廠，但并未透露是否計劃收購存儲器大廠。
報導指出，從目前紫光集團記憶體的布局來看，除了要獲得威騰的專利授權，還需要收購一家制造工廠或者自建工廠。對此，趙偉國表示，“不管有沒有收購，我肯定要自己建設存儲(儲存裝置)工廠。”
趙偉國強調，“在中國建立中國資本控制的工廠，這不僅僅是企
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紫光 存儲器
隨著存儲器系統從一個固定的子系統轉變成整體系統中可調整的變相，存儲器控制器的重要性也越來越被重視，新的存儲器架構即將出現。
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存儲器
如今英特爾重返存儲器市場，存儲器產業已今非昔比，但英特爾仍具備強大的制造規模及技術實力，甚至有能力主導存儲器市場，英特爾投入戰局勢必震撼全球存儲器產業。
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領先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)日前宣布擴展其低功耗PIC?單片機(MCU)產品組合。全新PIC24F “GB6”系列包括具備糾錯碼(ECC)的高達1 MB閃存和32 KB RAM，是Microchip旗下首批提供如此大存儲容量的16位MCU器件。這些新器件還擁有具備實時更新功能的雙分區閃存，可以裝載兩個獨立的軟件應用程序，使得一個分區在執
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單純依靠某種方法是不能實現故障檢測的，需要多種方法結合，配合電路、機械等部分綜合分析。
PLC故障特點
PLC控制系統故障是指其失去了規定功能，一般指整個生產控制系統失效的總和，它又可分為PLC故障和現場生產控制設備故障兩部分。PLC系統包括中央處理器、主機箱、擴展機箱、I/O模塊及相關的網絡和外部設備。現場生產控制設備包括端口和現場控制檢測設備，如繼電器、接觸器、閥門、電動機等。
大多數有關PLC的故障是外圍接口信號故障，所以在維修時，只要PLC有些部分控制的動作正常，都不應該懷疑
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PLC 存儲器
一般地,EEPROM存儲器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數為10萬次,超過這一極限時,該單元就無法再使用了。但在實際應用中，可能有些數據要反復改寫。這時，可通過變址尋址的方式來突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限。 我們有一個單字節的數據要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法來做： 1、將93C56的00H單元定義為地址指針存放單元。 2、將要尋址的單元地址(假設為01H)放入93C56的00H地址中。 3、每次要對E2PROM中的數據進行讀寫時，先讀取00H中的數據，并
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韓國政府2016年未編列半導體預算，使韓國半導體業界不滿聲浪高漲。在韓國引以為傲的存儲器市場上，大陸和美國迅速追擊，韓國半導體業者危機感提升，而列為未來成長動能的IC設計，也未受到韓國政府重視。
據Digital Times報導，韓國政府對半導體、顯示器等核心產業，以及電子情報裝置新事業等，均未編列預算。自2016年起，將不會有由韓國政府主導的新半導體相關研發。
目前正在進行的系統芯片扶植相關研發事業也陷入危機。韓國產業通商資源部關系人員指出，產業委員會對于預算方面提出質疑，并主張增資30
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三星 SK海力士 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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