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        東芝開始全球首批64層3D NAND閃存的樣品出貨

        作者: 時間:2016-09-01 來源:電子產品世界 收藏

          東京-公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存,采用了堆棧式單元結構[1]。該款64層工藝的于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產品。新型采用3-bit-per-cell(1個存儲器儲存單元可存放3比特的數據)技術,實現了256Gbit(32GB)的容量。這種進步印證了專有架構的潛力。將不斷精進BiCS FLASHTM制造工藝,其發展藍圖中的下一個里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲器。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/201609/296385.htm

          這款新型存儲器沿襲48層BiCS FLASHTM,并采用領先的64層堆疊工藝,使每個單元芯片的容量比48層堆疊工藝增加40%,在降低每比特成本的同時提高每個硅晶圓的存儲容量的可加工性。64層BiCS FLASHTM滿足嚴格的性能規范,將用于包括企業級SSD和消費級SSD、智能手機、臺式電腦和存儲卡等存儲相關應用。

          東芝自2007年6月發布世界首款3D[3] NAND閃存存儲技術原型以來,一直致力于積極推進BiCS FLASHTM發展,以滿足市場對于更小尺寸且更大容量的存儲需求。

          東芝已于本月初在日本四日市的Fab2新廠生產該新型64層BiCS FLASHTM,并計劃于2017年上半年開始量產。

          注:

          [1] 棧式結構閃存存儲器單元垂直于硅基板,大大提高了密度,并超過二維NAND閃存存儲器,單元在硅基板上形式。

          [2] 截至至2016年7月,東芝調查

          [3] 東芝提出,2017年6月12日

          *BiCS FLASH是東芝公司的商標。



        關鍵詞: 東芝 存儲器

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