據(jù)朝日新聞報導,眾所矚目的東芝半導體招親案,美國芯片廠商博通(Broadcom)已確認中選,獲得東芝存儲器的獨家議約權。
盡管東芝發(fā)言人第一時間拒絕對此發(fā)表評論,但消息還是激勵東芝股價周二早盤一度大漲4%。嘉實XQ全球贏家報價顯示,截至10時10分(GMT+8)止,東芝股價上漲2.66%、暫報262.4日圓。
東芝的NAND閃存芯片在電子設備,包括智能手機、服務器和PC中得到廣泛使用。市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)顯示,2017年第一季度,三星NAND閃存芯片業(yè)務的收入為42.1億
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博通 存儲器
存儲器接口分為ROM接口和RAM接口兩種。ROM包括EPROM和FLASH,而RAM主要是指SRAM。TMS320C5409具有32K字的片內RAM和16K字的掩膜ROM。但是在DSP應用的很多場合,尤其是帶信號存儲的DSP應用來說,TMS320C5409的片內存儲資源是遠遠不夠用的。因此,設計一個TMS320C5409硬件系統(tǒng)一般應該包括其與EPROM/FLASH和SRAM的接口設計,以存放程序和數(shù)據(jù)。本文介紹TMS320C5409與存儲器的接口設計方案。
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存儲器 DSP 連接
DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應用的性能。然而,和過去幾代(DDR和DDR2)器件相比,DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點,使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器是非常重要的。視屏處理應用就是一個很好的示例,說明了DDR3存儲器系統(tǒng)的主要需求以及在類似數(shù)據(jù)流處理系統(tǒng)中DDR3接口所需的特性。
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DDR3 存儲器 IP 接口控制器
半導體供應鏈存儲器缺貨絕對是橫貫2017年的主調,但除了量變,大數(shù)據(jù)中心、AI深度學習運算帶來對CPU與AI處理器的運算速度、存儲容量高門檻要求,也正在改變整個存儲器乃至于運算基礎核心架構。
在近日一場GSA存儲器高峰論壇上,半導體與數(shù)據(jù)平臺、服務器領域與會人士對上述議題展開熱議。
西數(shù)(Western Digital)董事長兼COO Mike Cordano提到,未來存儲產業(yè)仍然機會巨大,占整個IC行業(yè)的三分之一份額,其中DRAM約600億美元、NAND Flash約480億美元、微
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摩爾定律 存儲器
存儲器尤如一座大山,擺在中國半導體業(yè)面前。不過既然已經決定發(fā)展存儲器產業(yè),就沒有退縮的余地。
中國半導體業(yè)發(fā)展有其特殊性,它依國家實力作為后盾,盡管西方陣營在“唱衰”中國存儲器產業(yè)的發(fā)展。然而不可否認的是,他們也在擔心中國存儲器業(yè)的成功。
現(xiàn)階段中國存儲器產業(yè)已經積聚了三股力量,包括長江存儲,晉華及王寧國主導的合肥長鑫,它們各有特色,采用不同的策略。不過至于哪家能取得成功,要看2018或2019年的結果,目前尚不好預言。
中國存儲器業(yè)的初級目標
按中國臺
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IDM 存儲器
單片機當中的存儲器,根據(jù)只讀和隨機可以分為兩種不同的種類,本文就將為大家介紹單片機系統(tǒng)當中的半導體存儲器分類,感興趣的朋友快來看一看吧。 按功能分為只讀和隨機存取存儲器兩大類。所謂只讀,從字面上理解就是只能從里面讀,不能寫進去,它類似于我們的書本,發(fā)到我們手回之后,我們只能讀里面的內容,不能隨意更改書本上的內容。只讀存儲器的英文縮寫為ROM(READ ONLY MEMORY) 所謂隨機存取存儲器,即隨時能改寫,也能讀出里面的數(shù)據(jù),它類似于我們的黑板,能隨時寫東西上去,也能用黑板
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單片機 存儲器
高性能系統(tǒng)設計師在滿足關鍵時序余量的同時要力爭獲得更高性能,而存儲器接口設計則是一項艱巨挑戰(zhàn)。雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM和4倍數(shù)據(jù)速率SDRAM都采用源同步接口來把數(shù)據(jù)和時鐘(或選通脈沖)由發(fā)射器傳送到接收器。接收器接口內部利用時鐘來鎖存數(shù)據(jù),此舉可消除接口控制問題(例如在存儲器和FPGA間的信號傳遞時間),但也為設計師帶來了必須解決的新挑戰(zhàn)。 關鍵問題之一就是如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實現(xiàn)高速接口。隨著數(shù)據(jù)有效窗越來越小,該問題也益發(fā)重要;同時,更具挑戰(zhàn)性的問題是,如何讓接收到的時鐘與數(shù)據(jù)中心對準
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FPGA 存儲器
想必大家都曾經遭遇過電腦突然斷電,因數(shù)據(jù)未及時保存后悔不已;或是因為手機待機時間太短而莫名焦慮……這些尷尬有望避免。記者日前獲悉,北京航空航天大學電子信息工程學院教授趙巍勝與中科院微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心研究員趙超聯(lián)合團隊經過三年攻關,成功制備國內首個80納米自旋轉移矩-磁隨機存儲器器件(STT-MRAM),此項技術應用后,電腦死機也會保留所有數(shù)據(jù),手機待機時間也有望大幅提高。
存儲器是電子系統(tǒng)的重要組成部分。目前絕大多數(shù)電子系統(tǒng)均采用寄存、主存加硬盤的存儲體
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80納米 存儲器
如果以2000年國務院印發(fā)《鼓勵軟件產業(yè)和集成電路產業(yè)發(fā)展的若干政策》為標志,中國集成電路產業(yè)進入真正起步階段,2014年發(fā)布的《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》(以下簡稱《推進綱要》)則是一臺強力加速器,將中國集成電路產業(yè)又推向一個新的高度。
然而,隨著產業(yè)發(fā)展進程的加快,我們更加急需了解我國當前IC產業(yè)的整體狀況,包括產業(yè)鏈發(fā)展情況、產業(yè)區(qū)域分布、關鍵產品開發(fā)進程等,進而探尋適合中國IC的發(fā)展模式。
關鍵器件:存儲器將是突破口
從1958年第一塊集成電路發(fā)明開始,至今近60年的發(fā)展
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集成電路 存儲器
與此形成鮮明對比的是,在存儲器領域,我國幾乎完全依賴于進口,存儲器已經成為我國半導體產業(yè)受外部制約最嚴重的基礎產品之一,存儲器國產化也成了我國半導體發(fā)展大戰(zhàn)略中的重要一步。
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存儲器 芯片
2017年4~6月的主要電子零組件與材料交易價,以存儲器為中心,包括DRAM等揮發(fā)性存儲器以及NAND Flash與硬盤等非揮發(fā)性存儲器,呈現(xiàn)持續(xù)走揚,除了智能型手機與個人電腦(PC)需求外,4K電視與數(shù)據(jù)中心需求也帶動相關市場。
根據(jù)日本經濟新聞(Nikkei)報導,大屏幕4K電視除了帶動存儲器需求外,同時也帶動液晶面板市場走勢,大陸液晶面板廠仍在建設中,目前仍無法供應市場需求,鴻海與夏普(Sharp)得以利用價格優(yōu)勢積極搶奪市場。另外,存儲器需求還影響到硅晶圓需求成長,硅晶圓材料廠投資仍謹慎
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存儲器 面板
近日,北京航空航天大學與微電子所聯(lián)合成功制備國內首個80納米自旋轉移矩——磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。
STT-MRAM是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結構,加工制備難度極大。當前,美韓日三國在該項技術上全面領先,很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。
微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過3年的艱苦攻關,在STT-MRAM關鍵工
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80nm 存儲器
隨著DRAM與NAND Flash等存儲器平均售價(ASP)大幅揚升,南韓三星電子(Samsung Electronics)半導體產品銷售額,有可能在2017年第2季首度超越英特爾(Intel),躍居為全球最大半導體產品供應商,并終結20余年來英特爾在半導體市場中的霸主地位。
根據(jù)調研機構IC Insights最新公布數(shù)據(jù),2017年第1季全球DRAM與NAND Flash存儲器ASP為3.82美元與3.79美元,分別季增26.5%與8.3%,以及年增45.2%與35.8%。雖然預計2017年下
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存儲器 三星
2017年會是flash/SSD年?隨著3D NAND轉型步調緩慢,加上智慧型手機到服務器等市場需求旺盛,如今的flash晶粒供應極其吃緊…
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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