根據全球領先的信息技術研究和顧問公司Gartner的最新預測，2017年全球半導體總體收入將首度突破4,000億美元大關，達到4014億美元，較2016年增加16.8%。2010年全球半導體收入曾創下3000億美元的紀錄，更早之前則是在2000年超過了2000億美元。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“存儲器的短缺正在帶動半導體市場的整體繁榮。由于存儲器廠商抬高DRAM和NAND的價格，其收入和利潤亦隨之增長。” Gartner預計2017年存儲器市場的收入漲幅
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存儲器 DRAM
市場調研機構IC Insights表示，2017年DRAM和NAND型閃存銷售額都將創出歷史新高，而DRAM和NAND閃存創新高的原因都是由于價格瘋漲。該機構預計，2017年DRAM出貨量同比下降，而NAND閃存也僅增長2%，閃存出貨量增長對存儲器銷售額創新高雖然是正面作用，但并非主要原因。
存儲器價格上漲始于2016年第二季度，到2017年上半年為止，每季度價格都持續向上走。如圖所示，從2016年第三季度，到2017年第二季度，DRAM價格季度平均增長率為16.8%，NAND閃存價格季度平均增
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存儲器 DRAM
7月16日晚間，紫光國芯公告稱終止對長江存儲股權收購計劃。這是紫光國芯繼2015年800億定增失利、收購臺灣力成與南茂部分股權計劃接連折戟后，首次轉向內部整合后的又一次失利。
但據券商分析師分析，主要在于長江存儲短期內無法產生收益。對于投資周期長的存儲器生產項目，即便是國家大力扶持存儲器的背景下，收購者也不能放棄對投資回報的考量。“紫光系”內部整合后的再次失利，背后是國家扶持和市場化思維的不斷磨合，暫時終止收購體現了紫光國芯的市場化經營路徑。
2014年，在工信部、
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紫光國芯 存儲器
據日經中文網7月13日報道，世界的半導體市場此前一直以美韓日廠商唱主角，現在中國企業正試圖參與進來，而中國企業的巨額投資很有可能成為半導體市場混亂的風險因素。
在全球股市上，半導體相關股正在成為熱點。美國費城半導體指數(SOX)在1100點左右，這是2000年IT泡沫以來的高水平。但半導體產業正在步入一個未知的階段，其中一個要素就是中國。
矛頭指向中國有失公允
眾所周知，無論日經中文，或是西方的有些論點把矛頭指向中國半導體業是不公平的。任何國家都有權決定自身的發展策略，而中國要發展半
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半導體 存儲器
6月21日，東芝(Toshiba)趕在股東大會前，宣布將優先與日美韓聯盟，針對東芝存儲器公司出售案進行交涉。東芝所選擇的日美韓聯盟，以產業革新機構(INCJ)、貝恩資本(Bain Capital)、政策投資銀行(DBJ)為主軸，加上韓國業者SK海力士(SK Hynix)、甚至傳出部分日企共同參與其中。
然而，外傳日美韓聯盟出價雖超過2兆日圓(約177億美元)，卻不是最高出價者。只不過，日本官方始終無法放下對鴻海集團的忌憚之心，致使東芝以“綜合評價”的方式，優先選擇日美韓聯
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東芝 存儲器
國際研究暨顧問機構Gartner預測，2017年全球半導體總營收將達到4014億美元，較2016年增加16.8%。這將是全球半導體營收首度突破4000億美元大關;2010年時創下3000億美元紀錄，更早之前則是在2000年時超越了2000億美元。
Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“存儲器缺貨帶動整體半導體市場的榮景。由于存儲器廠商抬高DRAM和NAND的價格，其營收和獲利隨之成長。”
Gartner預估2017年存儲器市場的營收提升幅度高達
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半導體 存儲器
據韓國民族日報報道，Gartner預測三星電子將失去在今年以來年取得的許多收益。
存儲器市場泡沫將于2019年破裂。
7月12日，Gartner預測稱，雖然今年全球半導體銷售額首次超過4000億美元，但到2019年，繁榮景象將會消失。
Gartner研究副總裁安德魯•諾伍德推測稱，“企業在儲存器市場大量投資，但之后將再次失去這些利潤。據推測，隨著儲存器供應商增加新的供應量，存儲器市場泡沫將于2019年破裂。這也意味著三星電子將失去在今年以來年取得的許多收益&rd
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存儲器
目前國內三大存儲器廠商正處于緊鑼密鼓的施工階段，預計2018上半年陸續進入設備安裝階段，新一輪的設備入廠調試安裝大戲即將上演。
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面對中國半導體產業和市場的快速成長，有些傳統跨國大廠坐不住了，歧視與恐慌的心理狀態和情緒在他們之間不斷蔓延…
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外界都將蘋果和鴻海歸納為一個陣營，其實對、但也不對，因為蘋果的目的是對東芝勢在必得，而選擇哪一個陣營只是手段而已。
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莫斯科物理技術學院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發出新的制程，可望為其實現適于3D堆疊的薄膜技術… 可變電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲存類型的“通用”存儲器，不僅提供了隨機存取存儲器(RAM)的速度，又兼具快閃存儲器(flash)的密度與非揮發性。然而目前，flash由于搶先進入3D時代而較ReRAM更勝一籌。 如今，莫斯科物理技術學院(Moscow Institute of Physics and Technolo
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據華爾街日報知情人士透露，在東芝公司將出售旗下半導體業務東芝存儲器的出售計劃中，包含 SK Hynix 擁有最高可取得33%股權的選擇權(option)，而東芝在對外發表的聲明中從未提到過該選擇權，SK 若成為日本官民基金“產業革新機構”(INCJ)以外的大股東的話，相信勢必引來西部數據更大的反對。
東芝于6月21日決定由 INCJ、美國投資基金以及韓國 SK Hynix 等所籌組的“日美韓聯盟”為半導體事業子公司“東芝存儲器&rdqu
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SK 存儲器
中國半導體業要實現制造DRAM夢己經初現曙光，近期由臺灣咨詢時報報道的合肥“睿力”做19納米DRAM引起業界的廣泛興趣。
一直低調行事的合肥“睿力”DRAM項目，由前應用材料公司資深副總裁David王寧國領軍。
匯總消息，“睿力”做DRAM，采用19納米制程工藝。該項目總占地面積約1582畝，一期總投資額約80億美元，一期的兩層廠房預計2017年三季度完工。目前已開始下設備的PO訂單，計劃今年10月設備開始安裝，有望2
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DRAM 存儲器
6月21日，東芝宣布選擇日本投資人和美國私募股權公司貝恩資本聯合的團隊作為旗下存儲器業務優先競購者，并計劃在6月28日達成最終協議。
不過，計劃沒有變化快，東芝日前表示，由于操作程序復雜，還有大量工作要做，所以雙方簽約時間要繼續延遲。東芝方面沒有給出具體要延后到什么時間。
其實對于這樣的結果業界并沒有感到特別意外，因為自東芝宣布將出售旗下存儲器業務后，已經經歷了無數的傳言和不確定，再加上目前西數正在狀告東芝，所以在最終協議簽字之前，一切都存在變數。
雖然東芝和優先競購方沒有達成最終協
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東芝 存儲器
隨著應用不斷擴大，及系統產品內建容量持續擴增，今年來半導體硅晶圓、磊晶與內存等多項產品市況熱絡，在供應持續吃緊下，各項產品下半年價格依然看漲。
南亞科總經理李培瑛說，第2季DRAM市場狀況穩定，下半年需求將比上半年好，對第3季并不悲觀。 聯合報系數據照
需求增加，供應端產能卻未同步增加，導致半導體硅晶圓、磊晶、動態隨機存取內存(DRAM)、儲存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來出現罕見同時供應吃緊的情況。
隨著時序逐漸步入傳統旺季，加上短時間新產能
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存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器（Memory）是計算機系統中的記憶設備，用來存放程序和數據。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩態半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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