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        鎧俠將開發(fā)新型 CXL 接口存儲器:功耗、位密度優(yōu)于 DRAM、讀取快于 NAND

        作者: 時間:2024-11-07 來源:IT之家 收藏

         11 月 7 日消息,日本當(dāng)?shù)貢r間昨日表示,其“創(chuàng)新型存儲制造技術(shù)開發(fā)”提案已獲日本新能源?產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機構(gòu)(NEDO)“加強后 5G 信息和通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項目 / 先進(jìn)半導(dǎo)體制造技術(shù)開發(fā)”計劃采納。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202411/464376.htm

        表示,在后 5G 信息和通信系統(tǒng)時代,AI 普及等因素產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量預(yù)計將變得極其龐大,從而導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)處理和功耗增加。因此數(shù)據(jù)中心使用的必須能夠在高性能處理器之間高速傳輸數(shù)據(jù),提高容量并降低功耗。

        計劃開發(fā)新型 CXL 接口存儲,目標(biāo)打造出較 DRAM 內(nèi)存功耗更低且位密度更高的同時較 NAND 閃存讀取速度更快的新型。這不僅可提高利用效率,還有助于節(jié)能。

        據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》報道,鎧俠計劃未來 3 年斥資 360 億日元(IT之家備注:當(dāng)前約 16.77 億元人民幣)用于新型 CXL 存儲器開發(fā),日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省將提供 180 億日元(當(dāng)前約 8.39 億元人民幣)補貼,相關(guān)產(chǎn)品有望于 21 世紀(jì) 30 年代早期實現(xiàn)商業(yè)化。




        關(guān)鍵詞: 鎧俠 存儲器 CXL接口

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