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        半導(dǎo)體 文章 最新資訊

        2011我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)逆風(fēng)高飛

        •   由中國(guó)電子工業(yè)科學(xué)技術(shù)交流中心(工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心)(簡(jiǎn)稱CSIP)主辦的“2011中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第六屆‘中國(guó)芯’頒獎(jiǎng)典禮”于12月16日在濟(jì)南召開。會(huì)上,CSIP發(fā)布了《2011中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)發(fā)展報(bào)告》。該報(bào)告是CSIP在對(duì)國(guó)內(nèi)重點(diǎn)IC設(shè)計(jì)企業(yè)、IP核供應(yīng)商、設(shè)計(jì)服務(wù)公司和各大科研機(jī)構(gòu)調(diào)查的基礎(chǔ)上分析研究得出的。   報(bào)告顯示,移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的興起給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)新的、龐大的市場(chǎng),這將重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局,我國(guó)集成電路
        • 關(guān)鍵字: 中國(guó)芯  半導(dǎo)體  CSIP2011  

        半導(dǎo)體淘汰賽持續(xù)上演 上游設(shè)備商恐掀搶客戶大戰(zhàn)

        •   近幾年半導(dǎo)體、太陽(yáng)能等產(chǎn)業(yè)面臨血淋淋的整并淘汰賽,上游半導(dǎo)體設(shè)備商挑戰(zhàn)日益嚴(yán)峻,多家設(shè)備商都感嘆,客戶在淘汰和集中化過(guò)程中,變成現(xiàn)在手上每一家客戶都變的十分重要,一家都不能少,未來(lái)18寸晶圓時(shí)代來(lái)臨后,目前全球只有臺(tái)積電、三星電子(Samsung Electronics)、英特爾(Intel) 3家半導(dǎo)體廠有能力投資,設(shè)備商會(huì)面臨更嚴(yán)峻挑戰(zhàn),但也象征另一場(chǎng)軍事糧草采購(gòu)大賽的開始。   半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中亙古不變的贏家法則,就是在景氣最低迷時(shí)持續(xù)投資,三星、臺(tái)積電都是此法則的忠實(shí)信徒;不過(guò),歷史人人會(huì)讀、道
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  晶圓  

        11月日產(chǎn)FPD裝置市場(chǎng)訂單額創(chuàng)新低

        •   日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)(SEAJ)公布了日本產(chǎn)FPD制造裝置2011年11月份的BB比等數(shù)據(jù)。受平板電視市場(chǎng)低迷的影響,F(xiàn)PD制造裝置的訂單額持續(xù)下滑,甚至比雷曼危機(jī)時(shí)還低,為本統(tǒng)計(jì)開始以來(lái)的最低記錄。   此次公布的日本產(chǎn)FPD制造裝置2011年11月的BB比、訂單額和銷售額(均為3個(gè)月移動(dòng)平均值,下同)分別如下:BB比為比上年同月(YoY)減少0.75個(gè)百分點(diǎn)、比上月(MoM)減少0.03個(gè)百分點(diǎn)的0.22。YoY連續(xù)3個(gè)月、MoM連續(xù)5個(gè)月減少。訂單額為YoY減少77.4%、MoM減少13.1
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  FPD  

        Alpsitec喜獲中國(guó)河北工業(yè)大學(xué)訂單

        • 在法國(guó)東南部阿爾卑斯山腳下的格勒諾布爾市(Grenoble)及附近地區(qū),因?yàn)樵搮^(qū)域內(nèi)有CEA-LETI研究院、ST微電子研發(fā)中心等多家頂級(jí)微電子研究機(jī)構(gòu)和多所大學(xué),近年成為了歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新科技中心,同時(shí)許多新創(chuàng)公司在該地區(qū)成立并取得發(fā)展,因而被稱為歐洲硅谷。位于此間專注于化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)和工業(yè)視覺的Alpsitec有限公司不久前喜獲中國(guó)河北工業(yè)大學(xué)訂單,在該地區(qū)中小半導(dǎo)體企業(yè)中掀起了一次“中國(guó)潮”。
        • 關(guān)鍵字: Alpsitec  半導(dǎo)體  CMP  E460  

        我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)規(guī)模占全球近14%

        •   據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào) 2011年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)日前在山東濟(jì)南召開。工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心在會(huì)上發(fā)布的報(bào)告認(rèn)為,在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩的大背景下,中國(guó)本土集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)實(shí)現(xiàn)了持續(xù)快速發(fā)展。該中心預(yù)計(jì),今年我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)銷售額將達(dá)到686.81億元,占全球比重上升至13.89%。   該中心抽樣調(diào)查了全國(guó)42家重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè),結(jié)果顯示,2011年絕大部分企業(yè)的集成電路設(shè)計(jì)銷售額實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng),平均增長(zhǎng)率達(dá)40.88%,其中有6家企業(yè)的銷售額實(shí)現(xiàn)翻番。
        • 關(guān)鍵字: 集成電路  半導(dǎo)體  

        美國(guó)大學(xué)將太陽(yáng)能電池效率提高到44%

        •   傳統(tǒng)太陽(yáng)能電池的效率可大幅度提高,一項(xiàng)新的研究探討了太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換機(jī)制,項(xiàng)目領(lǐng)導(dǎo)是得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校(University of Texas at Austin)化學(xué)家朱曉陽(yáng)(Xiaoyang Zhu)。朱曉陽(yáng)和他的研究小組發(fā)現(xiàn),有可能使每一個(gè)陽(yáng)光光子產(chǎn)生的電子數(shù)量增加一倍,只需使用一種有機(jī)塑料半導(dǎo)體材料。   “塑料半導(dǎo)體太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)具有很大的優(yōu)勢(shì),其中之一就是成本低,”化學(xué)教授朱曉陽(yáng)說(shuō)。“結(jié)合潛力巨大的分子設(shè)計(jì)和合成,我們的發(fā)現(xiàn)打開了一扇大門,可以帶來(lái)一種
        • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  太陽(yáng)能電池  

        信號(hào)鏈基礎(chǔ)知識(shí)#54誰(shuí)是音頻時(shí)鐘的“老板”,誰(shuí)是主,誰(shuí)是從呢

        應(yīng)對(duì)LED通用照明挑戰(zhàn)的AC-DC LED驅(qū)動(dòng)解決方案

        • LED通用照明設(shè)計(jì)工程師會(huì)遇到許多挑戰(zhàn),如功率密度、功率因數(shù)校正(PFC)、空間受限和可靠性等。這些LED照明設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和電源設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)類似,具體講,LED通用照明有以下幾個(gè)挑戰(zhàn):由于總光效要求及散熱限制的影響,即使是低功率應(yīng)用能效也很重要;在許多情況下,較低功率也要求功率因數(shù)校正和諧波處理;在空間受限應(yīng)用中,特別是替代燈泡應(yīng)用時(shí),對(duì)驅(qū)動(dòng)功率密度的要求很高;總體電源可靠性對(duì)提高整個(gè)燈的壽命非常重要;
        • 關(guān)鍵字: 安森美  半導(dǎo)體  LED  AC-DC  

        蘋果擬在以色列建立半導(dǎo)體研發(fā)中心

        •   據(jù)悉,蘋果除收購(gòu)閃存存儲(chǔ)技術(shù)公司Anobit交易外,還有計(jì)劃在以色列建一個(gè)半導(dǎo)體開發(fā)中心。   以色列《Globes》周三報(bào)道稱,在與Anobit談判收購(gòu)交易前,蘋果就計(jì)劃在以色列建半導(dǎo)體開發(fā)中心,這里將是蘋果設(shè)在公司總部之外的第一家戰(zhàn)略性開發(fā)中心。之前,不設(shè)在公司總部的蘋果部門主要與營(yíng)銷、銷售和支持有關(guān)。   報(bào)道稱,蘋果研發(fā)副總裁埃德·弗蘭克(Ed Frank)目前在以色列訪問(wèn),目的是為此半導(dǎo)體開發(fā)中心“打前站”。   蘋果計(jì)劃以4.5億美元至5億美元的
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        Gartner:2012年半導(dǎo)體資本支出將下降19.5%

        •   據(jù)市調(diào)公司Gartner在日前公布數(shù)據(jù)顯示,2012年全球半導(dǎo)體資本支出將會(huì)比2011年下降19.5%,主要是受到全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境趨緩的影響。   Gartner表示,2012年全球半導(dǎo)體資本支出將會(huì)滑落到517億美元,低于2011年的642億美元。   Gartner執(zhí)行副總裁Klaus Rinnen在聲明中指出,自然災(zāi)害及經(jīng)濟(jì)環(huán)境地卻對(duì)2011年的半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)造成了沖擊,但預(yù)期2011年的資本支出仍會(huì)比2010年增加13.7%;然而,由于受到宏觀經(jīng)濟(jì)趨緩,加上受到需求疲軟和泰國(guó)發(fā)生洪災(zāi)等不利
        • 關(guān)鍵字: Gartner  半導(dǎo)體  晶圓  

        Crocus與中芯國(guó)際簽署技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議

        • Crocus科技,領(lǐng)先的強(qiáng)化磁性半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)商,和中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”),中國(guó)內(nèi)地最大最先進(jìn)的集成電路晶圓代工企業(yè),今天宣布,正式簽署合作技術(shù)開發(fā)和晶圓制造協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,兩家公司將共同開發(fā)針對(duì)汽車應(yīng)用的高溫磁性邏輯單元(MLU)技術(shù)。中芯國(guó)際將制造和供應(yīng)基于CMOS先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓,這些晶圓將在Crocus納米電子(CNE)的先進(jìn)磁性生產(chǎn)設(shè)備上做進(jìn)一步加工。
        • 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際  半導(dǎo)體  CMOS  

        安森美半導(dǎo)體電源管理方案

        • 近年來(lái),手機(jī)等便攜設(shè)備市場(chǎng)持續(xù)快速發(fā)展。據(jù)預(yù)計(jì),手機(jī)出貨量將從2011年的14億部增長(zhǎng)至2014年的18億部;其中又以智能手機(jī)市場(chǎng)耀眼,受大量低成本Android手機(jī)上市推動(dòng),同期智能手機(jī)出貨量將從4億部增長(zhǎng)至6.8億部,而且智能手機(jī)的半導(dǎo)體元件含量遠(yuǎn)高于功能型或入門型手機(jī)。與此同時(shí),領(lǐng)先制造商更加重視用戶使用體驗(yàn),其舉措之一是在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中選擇能夠更好配合智能手機(jī)等便攜設(shè)備應(yīng)用要求及技術(shù)趨勢(shì)的產(chǎn)品及方案。
        • 關(guān)鍵字: 安森美  半導(dǎo)體  晶體管  

        ST-Ericsson與ST攜手帶來(lái)增強(qiáng)實(shí)境體驗(yàn)技術(shù)

        • 為加快能夠豐富人們?nèi)粘I铙w驗(yàn)的技術(shù)的開發(fā)和應(yīng)用,全球領(lǐng)先的無(wú)線平臺(tái)及半導(dǎo)體供應(yīng)商ST-Ericsson與橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;)共同宣布參與VENTURI(immersiVe ENhancemenT of User-woRld Interactions)歐洲移動(dòng)增強(qiáng)實(shí)境科技項(xiàng)目。
        • 關(guān)鍵字: ST  半導(dǎo)體  AR  
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        半導(dǎo)體介紹

        semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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