英特爾18A良率已超越三星？

7月15日消息，據報道，最新分析報告顯示，Intel 18A工藝的良率已從上一季度的50%提升至55%，與競爭對手的對比中脫穎而出。相比之下，三星的2nm工藝（SF2）目前的良率大約在40%左右，而Intel 18A工藝的良率已經超越了三星2nm。

雖然仍低于臺積電N2的65%，但已具備Q4 2025量產（HVM）條件，屆時其良率有望進一步提升至70%，這將為Intel下一代移動CPU的生產提供有力支持。雖然Intel的良率預計不會超越臺積電，但擁有一個功能強大的制程就足夠該公司所用了。

Intel 18A工藝的進步不僅有助于其內部產品的開發，如即將推出的Panther Lake系列，還為未來向外部客戶提供服務奠定了基礎。Intel計劃在18A工藝取得成功后，逐步向14A工藝過渡，以進一步提升其在高端芯片市場的競爭力。