傳LG電子研發HBM混合鍵合設備 瞄準AI芯片關鍵技術

報道稱，LG公司正在研發用于制造與英偉達(NVDA.US)及其他公司設計的 AI 處理器協同工作的存儲芯片的尖端工具。消息人士透露，這家韓國公司計劃在 2028 年實現HBM芯片用混合鍵合機的大規模生產。LG 電子表示，其正在對用于 HBM 的混合鍵合機進行技術研究，但大規模生產的具體時間尚未確定。

韓國是 SK 海力士公司的所在地，該公司是HBM芯片的重要供應商。HBM 由一系列DRAM芯片組成。混合鍵合對于 HBM 的制造至關重要，它能夠通過直接將相鄰層的電極粘合在一起來實現更薄的芯片堆疊。

其他正在生產混合式封裝設備的韓國公司包括韓美半導體、三星電子旗下Semes以及Hanwha Vision旗下韓華半導體技術部門。韓美半導體的股價周一跌幅高達 6.5%，而Hanwha Vision的股價下跌了 4.7%，三星電子的股價則下跌了 1.3%。

現代汽車證券公司的分析師格Greg Roh表示：“混合鍵合市場的進入門檻相當高，真正的優勢在于那些已經熟練掌握這項技術多年的人。在市場持續增長之際探索新業務是有意義的，但鑒于已有實力雄厚的企業參與其中，這還需要得到驗證。”

該公司還可能面臨來自國外的競爭，彭博情報分析師Sean Chen指出，在香港上市的 ASMPT 和荷蘭的 BE Semiconductor Industries NV可能會成為混合鍵合領域的潛在競爭對手。他在一份報告中寫道：“隨著研發和資本支出的增加，LG 電子可能會面臨盈利壓力，而其銷售額貢獻在 2030 年之前可能也會受到限制。”