赴美新建半導體工廠減免35%稅收！加速推進“芯片制造回流美國”？

美國參議院本周通過的《全面稅收法案》將降低半導體制造商在美國建廠的成本，為芯片制造商帶來利益，并將促進美國半導體產(chǎn)業(yè)本土化進程。根據(jù)參議院通過該法案最終版本，英特爾、臺積電和美光科技等公司如果在現(xiàn)有《芯片與科學法案》提出的2026年截止日期之前在美國動工興建新工廠，將有資格享受35%的投資稅收抵免。這一比例遠超現(xiàn)行芯片法案規(guī)定的抵免25%，并且超過了提案草案中設(shè)想的30%。

值得注意的是，據(jù)悉這項稅收抵免沒有上限，很可能已經(jīng)高于其他形式的補貼 —— 這取決于投資規(guī)模。無論在哪種情況下，這種稅收抵免幾乎都將帶給任何一家公司最大份額的激勵，包括沒有獲得芯片法案撥款的公司。撥款項目的主要受益者包括英特爾、臺積電、美光科技和三星電子。

現(xiàn)行的芯片法案由美國前總統(tǒng)拜登于2022年8月9日簽署成為立法，其中明確規(guī)定，此后五年內(nèi)，美國聯(lián)邦政府應(yīng)為美國半導體行業(yè)和開放式無線接入網(wǎng)創(chuàng)新活動提供總計542億美元的財政撥款和25%的投資稅收抵免，并為其他前沿領(lǐng)域的科學和研發(fā)活動提供總計1699億美元的財政撥款，以此提高美國半導體制造業(yè)的競爭力，以及航空航天等其他關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新能力。

科技咨詢機構(gòu)Futurum Group首席執(zhí)行官丹尼爾·紐曼分析指出，特朗普政府對半導體技術(shù)進口展開的關(guān)稅調(diào)查，客觀上強化了企業(yè)赴美設(shè)廠的緊迫性。他表示：“關(guān)稅風險與稅收優(yōu)惠形成政策組合拳，既推動美國、亞洲以及歐洲的半導體巨頭們將生產(chǎn)線轉(zhuǎn)移到美國本土，又通過抵免機制部分對沖了本土建廠的高昂成本。”

這項半導體制造條款被納入一份近900頁的法案，該法案代表了美國總統(tǒng)特朗普經(jīng)濟議程的核心，但仍需跨越最后一道程序關(guān)口：眾議院需在7月4日前完成二次表決，并將其送交特朗普進行最終簽署。若最終成法案，不僅意味著美國半導體產(chǎn)業(yè)扶持力度達到新高度，更標志著華盛頓在半導體領(lǐng)域「去亞洲化」的戰(zhàn)略，以及特朗普政府長期吶喊的“芯片制造業(yè)回流美國”推進獲得新工具并實現(xiàn)里程碑式的加速步伐。

當前半導體產(chǎn)業(yè)投資已呈現(xiàn)明顯加速態(tài)勢。全球最大芯片代工廠臺積電正擴大美國建廠規(guī)模，英偉達、美光、格芯等美資企業(yè)也相繼追加本土投資。

· 在美國投資芯片制造商中，臺積電最為積極。根據(jù)其官網(wǎng)，臺積電計劃在美國投資高達1650億美元，包括六座芯片廠、兩座先進封裝廠以及位于亞利桑那州的研發(fā)中心。臺積電在亞利桑那州的第二座工廠（P2）計劃于2026年第三季度開始設(shè)備安裝，預計2027年開始大規(guī)模生產(chǎn)，而其第三座亞利桑那州工廠已于2025年4月破土動工。

· 2025年第二季度，三星則重新開始泰勒工廠的潔凈室建設(shè)，并且計劃于2026年開始在其泰勒工廠安裝2nm工藝的設(shè)備。

· 英特爾在亞利桑那州的52號廠和62號廠已經(jīng)投入運營，預計很快將開始生產(chǎn)18A芯片，但其俄亥俄州的工廠完工時間已推遲至2030年，不過建設(shè)工作仍在進行中 —— 這使得其符合獲得新的稅收抵免資格。

· 美國內(nèi)存巨頭美光公布了一項2000億美元的擴張計劃，以提升國內(nèi)制造業(yè)，其中包括在博伊西建立第二座晶圓廠。另外，預計將在2027年下半年開始在其位于愛達荷州的第一個晶圓廠ID1生產(chǎn)DRAM晶圓，而其位于紐約的1000億美元超級晶圓廠的開工儀式現(xiàn)推遲至2025年11月下旬或12月。