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英飛凌OptiMOS? 80V、100V以及MOTIX?功率器件為Reflex Drive無(wú)人機(jī)提供高性能電機(jī)控制解決方案

來(lái)自印度的深科技初創(chuàng)公司Reflex Drive選擇英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的半導(dǎo)體功率器件，用于其下一代無(wú)人機(jī)（UAV）電機(jī)控制解決方案。通過(guò)集成英飛凌OptiMOS? 80 V和100 V功率器件，Reflex Drive的電子調(diào)速器（ESC）實(shí)現(xiàn)了更好的熱管理和更高的效率，從而在緊湊的設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)了高功率密度。此外，通過(guò)采用將XMC1404微控制器與MOTIXTM?6EDL7141?三相柵極驅(qū)動(dòng)器IC結(jié)合的英飛凌MOTIX? IMD7
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柵極驅(qū)動(dòng)器 — 功率器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：第 3 部分

其他柵極驅(qū)動(dòng)器轉(zhuǎn)換器考慮因素柵極驅(qū)動(dòng)器 DC-DC 轉(zhuǎn)換器還有其他獨(dú)特的問(wèn)題。其中包括：1）調(diào)節(jié)：當(dāng)器件不切換時(shí)，DC-DC 轉(zhuǎn)換器上的負(fù)載接近于零。然而，大多數(shù)傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換器始終要求最小負(fù)載;否則，它們的輸出電壓會(huì)急劇增加，可能達(dá)到柵極擊穿水平。發(fā)生的情況是，這個(gè)高電壓存儲(chǔ)在大容量電容器上，因此當(dāng)器件開(kāi)始切換時(shí)，它可能會(huì)出現(xiàn)柵極過(guò)壓，直到轉(zhuǎn)換器電平下降到正常負(fù)載下。因此，應(yīng)使用具有箝位輸出電壓或極低最小負(fù)載要求的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。2）啟動(dòng)和關(guān)斷：重要的是，在驅(qū)動(dòng)電路電壓軌達(dá)到指定值之前，I
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據(jù)報(bào)道，Wolfspeed 將被 Apollo 領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人接管，同時(shí)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手將迎來(lái)機(jī)遇

據(jù)路透社援引彭博社報(bào)道，在關(guān)于即將破產(chǎn)的傳聞出現(xiàn)近一個(gè)月后，Wolfspeed 現(xiàn)在正面臨一次重大動(dòng)蕩。由 Apollo 全球管理公司領(lǐng)導(dǎo)的債權(quán)人正準(zhǔn)備根據(jù)破產(chǎn)計(jì)劃接管公司。報(bào)道稱(chēng)，這家陷入困境的碳化硅巨頭預(yù)計(jì)將在幾天內(nèi)公布一項(xiàng)預(yù)包裝破產(chǎn)計(jì)劃——旨在迅速削減數(shù)十億美元的債務(wù)。在鎖定重組協(xié)議后，Wolfspeed 將要求債權(quán)人就計(jì)劃進(jìn)行投票，然后正式申請(qǐng)第 11 章保護(hù)，報(bào)道補(bǔ)充道。由意法半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)的對(duì)頭將受益根據(jù) TrendForce 的觀察，由于破產(chǎn)程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
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柵極驅(qū)動(dòng)器 — 功率器件性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)：第 1 部分

有效的 MOSFET/IGBT 器件開(kāi)關(guān)取決于柵極驅(qū)動(dòng)器及其電源。從電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器到充電站和無(wú)數(shù)其他應(yīng)用，硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN） MOSFET等開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體以及絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是高效電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。但是，為了實(shí)現(xiàn)功率器件的最大性能，需要合適的柵極驅(qū)動(dòng)器。顧名思義，該元件的作用是驅(qū)動(dòng)功率器件柵極，快速、清晰地將其置于導(dǎo)通模式或?qū)⑵淅鰧?dǎo)通模式。這樣做要求驅(qū)動(dòng)器能夠拉出或吸收足夠的電流，盡管負(fù)載（柵極）存在內(nèi)部器件和雜散（寄生）電容、電感和其他
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新型功率器件的老化特性：HTOL高溫工況老化測(cè)試

_____隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)象，導(dǎo)致性能退化。如何在短時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)確評(píng)估這些器件的老化特性，成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。目前，針對(duì)功率器件的老化測(cè)試主要包括多種不同的測(cè)試方式。其中，JEDEC制定的老化測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循環(huán)測(cè)試）主要針對(duì)傳統(tǒng)的硅基功率器件。對(duì)于新型的SiC等功率器件，AQG-324標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)一步要求增加動(dòng)態(tài)老化測(cè)試，如動(dòng)態(tài)柵偏和動(dòng)態(tài)反偏測(cè)試。
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新型SiC模塊，可將安裝面積減少一半

ROHM宣稱(chēng)其新型SiC模塊已「達(dá)到業(yè)界頂級(jí)水平」，這使得安裝面積顯著減少。
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電感的失效分析

1、電感本質(zhì)我們通常所說(shuō)的電感指的是電感器件，它是用絕緣導(dǎo)線(例如漆包線,沙包線等)繞制而成的電磁感應(yīng)元件。在電路中，當(dāng)電流流過(guò)導(dǎo)體時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)，電磁場(chǎng)的大小除以電流的大小就是電感。電感是衡量線圈產(chǎn)生電磁感應(yīng)能力的物理量。給一個(gè)線圈通入電流，線圈周?chē)蜁?huì)產(chǎn)生磁場(chǎng)，線圈就有磁通量通過(guò)。通入線圈的電源越大，磁場(chǎng)就越強(qiáng)，通過(guò)線圈的磁通量就越大。實(shí)驗(yàn)證明，通過(guò)線圈的磁通量和通入的電流是成正比的，它們的比值叫做自感系數(shù)，也叫做電感。1.2 電感分類(lèi)按電感形式分類(lèi)：固定電感、可變電感。按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類(lèi)：空芯線圈
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功率電感器的額定電流為什么有兩種？

在DC-DC轉(zhuǎn)換器中，電感器是僅次于IC的核心元件。通過(guò)選擇恰當(dāng)?shù)碾姼衅鳎軌颢@得較高的轉(zhuǎn)換效率。在選擇電感器時(shí)所使用的主要參數(shù)有電感值、額定電流、交流電阻、直流電阻等，在這些參數(shù)中還包括功率電感器特有的概念。例如，功率電感器的額定電流有兩種，它們之間的差異是什么呢？為了回答這樣的疑問(wèn)，我們?cè)谶@里對(duì)功率電感器的額定電流進(jìn)行說(shuō)明。存在兩種額定電流的原因功率電感器的額定電流有"基于自我溫度上升的額定電流"和"基于電感值的變化率的額定電流"兩種決定方法，分別具有重要的意義
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功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）---功率半導(dǎo)體的熱阻

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中和導(dǎo)通電流時(shí)會(huì)產(chǎn)生損耗，損失的能量會(huì)轉(zhuǎn)化為熱能，表現(xiàn)為半導(dǎo)體器件發(fā)熱，器件的發(fā)熱會(huì)造成器件各點(diǎn)溫度的升高。半導(dǎo)體器件的溫度升高，取決于產(chǎn)生熱量多少（損耗）和散熱效率（散熱通路的熱阻）。IGBT模塊的風(fēng)冷散熱
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功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（二）---熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。第一講《功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）----功率半導(dǎo)體的熱阻》，已經(jīng)把熱阻和電阻聯(lián)系起來(lái)了，那自然會(huì)想到熱阻也可以通過(guò)串聯(lián)和并聯(lián)概念來(lái)做數(shù)值計(jì)算。熱阻的串聯(lián)首先，我們來(lái)看熱阻的串聯(lián)。當(dāng)兩個(gè)或多個(gè)導(dǎo)熱層依次排列，熱量依次通過(guò)
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（三）----功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)聯(lián)系實(shí)際，比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率半導(dǎo)體模塊殼溫和散熱器溫度功率模塊的散熱通路由芯片、DCB、銅基板、散熱器和焊接層、導(dǎo)熱脂層串聯(lián)構(gòu)成的。各層都有相應(yīng)的熱阻，這些熱阻是串聯(lián)的，總熱阻等于各熱阻之和，這是因?yàn)闊崃吭趥鬟f過(guò)程中，需要依次克服每一個(gè)熱阻，所以總熱阻就是
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。芯片表面溫度芯片溫度是一個(gè)很復(fù)雜的問(wèn)題，從芯片表面測(cè)量溫度，可以發(fā)現(xiàn)單個(gè)芯片溫度也是不均勻的。所以工程上設(shè)計(jì)一般可以取加權(quán)平均值或給出設(shè)計(jì)余量。這是一個(gè)MOSFET單管中的芯片，直觀可以看出芯片表面溫度是不一致的，光標(biāo)1的位置與光標(biāo)2位置溫度
關(guān)鍵字：英飛凌功率器件熱設(shè)計(jì) 溫度測(cè)試

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。熱容熱容 C th 像熱阻 R th 一樣是一個(gè)重要的物理量，它們具有相似的量綱結(jié)構(gòu)。熱容和電容，都是描述儲(chǔ)存能力物理量，平板電容器電容和熱容的對(duì)照關(guān)系如圖所示。平板電容器電容和熱容
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（七）——熱等效模型

前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。有了熱阻熱容的概念，自然就會(huì)想到在導(dǎo)熱材料串并聯(lián)時(shí)，就可以用阻容網(wǎng)絡(luò)來(lái)描述。一個(gè)帶銅基板的模塊有7層材料構(gòu)成，各層都有一定的熱阻和熱容，哪怕是散熱器，其本身也有熱阻和熱容。整個(gè)散熱通路還包括導(dǎo)熱脂、散熱器和環(huán)境。不同時(shí)間尺度下
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功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

/ 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。任何導(dǎo)熱材料都有熱阻，而且熱阻與材料面積成反比，與厚度成正比。按道理說(shuō)，銅基板也會(huì)有額外的熱阻，那為什么實(shí)際情況是有銅基板的模塊散熱更好呢？這是因?yàn)闊岬臋M向擴(kuò)散帶來(lái)的好處。熱橫向擴(kuò)散除了熱阻熱容，另一個(gè)影響半導(dǎo)體散熱的重要物理效應(yīng)為熱的橫向傳
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