瑞薩將上市SiC功率半導體

　　瑞薩電子計劃上市SiC(碳化硅)功率半導體。耐壓600V的SiC肖特基勢壘二極管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”將從2011年3 月底開始樣品供貨。除了空調等白色家電外，預計還可用于通信基站和服務器等配備的PFC(功率因數校正)電路以及逆變器電路。瑞薩計劃從2011年10月開始少量量產，2012年3月以后以10萬個/月的規模量產。該公司還打算在2011年度內，樣品供貨耐壓提高至1200V的SiC-SBD。

　　瑞薩此次上市的SiC-SBD，是在與日立制作所共同開發的技術基礎上開發的。除了可將開關時的電力損失較Si制SBD降低40%外，還具有驅動電壓只有1.5V的特點。據瑞薩介紹，驗證導入PFC電路的效果發現，以SiC-SBD替換與Si制MOSFET相組合的Si制SBD后，工作效率提高了 0.3個百分點。“PFC電路的工作效率已提高到超過95%的水平，使用Si制SBD，效率基本沒有提高。而采用SiC可提高0.3個百分點，這一效果非常顯著”(瑞薩電子模擬&功率業務本部功率元器件業務部HV元器件設計部主管技師兼MOSFET•IGBT設計課課長金澤孝光)。樣品價格為5000日元，是Si制SBD的數十倍。

　　瑞薩除了將此次的SiC-SBD作為單獨部件提供外，還計劃以在同一封裝中集成Si制IGBT及MOSFET的模塊和裸片形態提供。共備有電流容量為 10A、15A、20A和30A的4款產品。封裝目前與該公司Si制功率半導體制品的相同。備有兩個引線端子，外形尺寸與TO-220實型(Full Mold)相當。工作溫度的上限“采用SiC時雖能保證直到200℃左右，但此次采用現有封裝的產品為175℃左右”(瑞薩電子模擬&功率業務本部功率元件業務部副業務部長飯島哲郎)。今后會考慮開發能夠耐200℃左右高溫的SiC封裝。

　　該公司此為首次采用SiC開發功率半導體產品。決定踏入產品化的理由是：“由于在工作效率方面具有較大優勢，因此，希望在倡導節能效果的高端機型中采用SiC的呼聲日益強烈”(飯島)。另外，最近一年里，羅姆和三菱電機等日本國內的功率半導體廠商紛紛決定上市SiC功率半導體也起到了推動作用。雖然實現產品化的時間稍顯落后，但“我們可以自行生產與SiC-SBD組合使用的高性能IGBT、MOSFET以及控制IC，能夠靈活地滿足客戶要求的性能指標，這是我們獨有的優勢”。