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先進(jìn)封裝
先進(jìn)封裝 文章 進(jìn)入先進(jìn)封裝技術(shù)社區(qū)
博眾精工牽頭設(shè)立2.5D/3D封裝關(guān)鍵技術(shù)及核心裝備創(chuàng)新聯(lián)合體
- 據(jù)博眾半導(dǎo)體官微消息，近日，蘇州市科技局正式公布了2024年度蘇州市創(chuàng)新聯(lián)合體名單。其中，由博眾精工牽頭的“蘇州市半導(dǎo)體2.5D/3D封裝關(guān)鍵技術(shù)及核心裝備創(chuàng)新聯(lián)合體”被納入指令性立項(xiàng)項(xiàng)目清單。據(jù)悉，該創(chuàng)新聯(lián)合體由博眾精工科技股份有限公司作為核心力量，攜手蘇州大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)等12家企事業(yè)單位共同組建。該聯(lián)合體聚焦于半導(dǎo)體封裝測(cè)試領(lǐng)域的核心部件自主研發(fā)，旨在通過(guò)跨學(xué)科、跨領(lǐng)域的協(xié)同創(chuàng)新，構(gòu)建國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體2.5D/3D封裝設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)平臺(tái)，為破解國(guó)外技術(shù)壟斷、提升我國(guó)高端裝備制造業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力貢獻(xiàn)力量。博
- 關(guān)鍵字： 博眾半導(dǎo)體 先進(jìn)封裝 2.5D封裝 3D封裝
先進(jìn)封裝成半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)力關(guān)鍵，美國(guó)宣布16億美元補(bǔ)助
- 外媒報(bào)導(dǎo)，美國(guó)商務(wù)部10日公布意向通知（NOI），啟動(dòng)研發(fā)（R&D）競(jìng)賽，建立加速美國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)能。正如美國(guó)國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃（NAPMP）愿景，美國(guó)芯片法案計(jì)劃提供16億美元給五個(gè)新創(chuàng)領(lǐng)域。借潛在合作協(xié)議，芯片法案提供多個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)，每獎(jiǎng)項(xiàng)約1.5億美元資金，領(lǐng)導(dǎo)工業(yè)界和學(xué)術(shù)界民間投資。政府資助活動(dòng)包括一或多個(gè)領(lǐng)域，如設(shè)備、工具、技術(shù)和技術(shù)整合，電力輸送和熱管理，連接器技術(shù)，光子學(xué)和射頻（RF），小芯片（Chiplet）生態(tài)系統(tǒng)，以及協(xié)同設(shè)計(jì)／電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）等。美國(guó)除了資助研發(fā)領(lǐng)域，
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信越推出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可無(wú)需中介層實(shí)現(xiàn) HBM 內(nèi)存 2.5D 集成
- IT之家 7 月 11 日消息，日本信越化學(xué) 6 月 12 日宣布開(kāi)發(fā)出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備，可直接在封裝基板上構(gòu)建符合 2.5D 先進(jìn)封裝集成需求的電路圖案。▲ 蝕刻圖案這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層（Interposer），在大大降低生產(chǎn)成本的同時(shí)也縮短了先進(jìn)封裝流程。▲ 2.5D 集成結(jié)構(gòu)對(duì)比信越表示，該新型后端設(shè)備采用準(zhǔn)分子激光器蝕刻布線，無(wú)需光刻工藝就能批量形成大面積的復(fù)雜電路圖案，達(dá)到了傳統(tǒng)制造路線無(wú)法企及的精細(xì)度。結(jié)合信越化學(xué)開(kāi)發(fā)的光
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美國(guó)宣布撥款16億美元，激勵(lì)先進(jìn)封裝研發(fā)
- 當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二，美國(guó)商務(wù)部發(fā)表官方聲明，宣布將撥款高達(dá)16億美元用于加速國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝的研發(fā)。此舉是美國(guó)政府2023年公布的國(guó)家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃NAPMP的一部分。聲明中稱，該筆資金來(lái)源于2022年《芯片與科學(xué)法案》520億美元授權(quán)資金的一部分，重點(diǎn)支持企業(yè)在芯片封裝新技術(shù)領(lǐng)域進(jìn)行創(chuàng)新。美國(guó)政府計(jì)劃通過(guò)獎(jiǎng)勵(lì)金的形式向先進(jìn)封裝領(lǐng)域的創(chuàng)新項(xiàng)目提供每份不超過(guò)1.5億美元的激勵(lì)。且項(xiàng)目需與以下五個(gè)研發(fā)領(lǐng)域中的一個(gè)或多個(gè)相關(guān)：1、設(shè)備、工具、工藝、流程集成；2、電力輸送和熱管理；3、連接器技術(shù)，包括光子學(xué)和射頻；
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更多新型先進(jìn)封裝技術(shù)正在崛起！
- 3.3D先進(jìn)封裝、玻璃基板、小芯片Chiplet、3D堆疊SoIC...新一代先進(jìn)封裝技術(shù)奔涌而來(lái)，三星電子、英特爾、臺(tái)積電、日月光等企業(yè)加碼投資擴(kuò)產(chǎn)，誰(shuí)將站在下一代先進(jìn)封裝發(fā)展浪頭引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展？三星電子正開(kāi)發(fā)“3.3D先進(jìn)封裝技術(shù)”，目標(biāo)2026年第二季度量產(chǎn)近日，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子正在開(kāi)發(fā)面向AI半導(dǎo)體芯片的新型3.3D先進(jìn)封裝技術(shù)，并計(jì)劃于2026年二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，這項(xiàng)封裝技術(shù)整合了三星電子多項(xiàng)先進(jìn)異構(gòu)集成技術(shù)。圖片來(lái)源：三星在概念圖中，GPU（AI計(jì)算芯片）與LCC緩存通過(guò)垂直堆疊的方式形
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萬(wàn)億美元市值臺(tái)積電 比英偉達(dá)統(tǒng)治力還強(qiáng)
- 美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月8日，晶圓代工大廠臺(tái)積電美股股價(jià)盤(pán)中一度上漲超過(guò)4%，市值首次突破1萬(wàn)億美元，創(chuàng)下歷史新高。截至當(dāng)日收盤(pán)，臺(tái)積電上漲1.43%，總市值來(lái)到9678.77億美元。今年以來(lái)，臺(tái)積電美股股價(jià)累計(jì)已上漲80.75%。業(yè)界認(rèn)為，AI應(yīng)用需求快速增長(zhǎng)，臺(tái)積電先進(jìn)制程芯片市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，以上因素推動(dòng)臺(tái)積電股價(jià)與市值實(shí)現(xiàn)成長(zhǎng)。今年6月全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，臺(tái)積電在AI應(yīng)用、PC新平臺(tái)等HPC應(yīng)用及智能手機(jī)高端新品推動(dòng)下，5/4nm及3nm呈滿載，今年下半年產(chǎn)能利用率有望突破1
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聯(lián)盟擴(kuò)員，代工巨頭「血拼」先進(jìn)封裝
- 由三星電子于去年 6 月發(fā)起的 MDI（多芯片集成）聯(lián)盟，正涌入更多的合作者。目前，該聯(lián)盟中包括多家存儲(chǔ)、封裝基板和測(cè)試廠商在內(nèi)的合作伙伴已增至 30 家，較去年的 20 家有所增長(zhǎng)，僅一年時(shí)間就增加了 10 家。近年來(lái)，隨著 AI 爆火，先進(jìn)封裝的崛起逐步成為業(yè)界共識(shí)。在算力需求與電路可容納晶體管數(shù)量雙雙接近極限之時(shí)，堆疊和組合不同的芯片便被認(rèn)為是一種更具效率的芯片制造理念。此次合作伙伴數(shù)量的增加，也反映出三星電子在半導(dǎo)體封裝技術(shù)方面的積極態(tài)度和堅(jiān)定決心。通過(guò)與更多的合作伙伴建立緊密的合作關(guān)系，三星電子
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臺(tái)積電CoWoS擴(kuò)產(chǎn) 可望落腳云林
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電將在7月18日舉行法說(shuō)會(huì)，2日業(yè)界先傳出臺(tái)積電可能會(huì)在云林覓地設(shè)先進(jìn)封裝廠，臺(tái)積電表示，一切以公司對(duì)外公告為主；法人認(rèn)為臺(tái)積電受惠AI強(qiáng)勁需求，仍看好長(zhǎng)線，擠進(jìn)千元俱樂(lè)部沒(méi)問(wèn)題。 臺(tái)積電在嘉義的CoWoS先進(jìn)封裝P1廠，在整地時(shí)發(fā)現(xiàn)遺址，因此停工，改興建P2廠，日前傳出臺(tái)積電在屏東或者云林覓地，希望能找到P1的替代場(chǎng)址，2日供應(yīng)鏈傳出臺(tái)積電可能已在云林的虎尾園區(qū)覓地。針對(duì)云林設(shè)廠的傳言，臺(tái)積電表示，設(shè)廠地點(diǎn)選擇有諸多考慮因素，公司以臺(tái)灣作為主要基地，不排除任何可能性；將持續(xù)與管理局合作評(píng)
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HBM、先進(jìn)封裝利好硅晶圓發(fā)展
- 隨著人工智能技術(shù)快速發(fā)展，AI芯片需求正急劇上升，推動(dòng)先進(jìn)封裝以及HBM技術(shù)不斷提升，硅晶圓產(chǎn)業(yè)有望從中受益。近期，環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭對(duì)外透露，AI所需的HBM內(nèi)存芯片，比如HBM3以及未來(lái)的HBM4，都需要在裸片（die）上做堆疊，層數(shù)從12層到16層增加，同時(shí)結(jié)構(gòu)下面還需要有一層基底的晶圓，這增加了硅晶圓的使用量。此前，媒體報(bào)道，AI浪潮之下全球HBM嚴(yán)重供不應(yīng)求，原廠今明兩年HBM產(chǎn)能售罄，正持續(xù)增加資本投資，擴(kuò)產(chǎn)HBM。據(jù)業(yè)界透露，相較于同容量、同制程的DDR5等內(nèi)存技術(shù)，HBM高帶寬存儲(chǔ)芯片晶圓
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先進(jìn)封裝賦能AI芯片，龍頭企業(yè)加速布局
- 近日，先進(jìn)封裝相關(guān)項(xiàng)目傳來(lái)新的動(dòng)態(tài)，涉及華天科技、通富微電、盛合晶微等企業(yè)。頻繁的項(xiàng)目動(dòng)態(tài)刷新和先進(jìn)封裝技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，不斷吸引著業(yè)界關(guān)注。在摩爾定律發(fā)展趨緩的大背景下，通過(guò)先進(jìn)封裝技術(shù)來(lái)滿足系統(tǒng)微型化、多功能化，成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新趨勢(shì)。隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的聲名鵲起，引來(lái)一眾行業(yè)廠商群雄競(jìng)逐。封測(cè)產(chǎn)業(yè)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的地位愈發(fā)重要，有望成為集成電路產(chǎn)業(yè)新的制高點(diǎn)，同時(shí)也將迎來(lái)更多發(fā)展機(jī)遇。封裝技術(shù)發(fā)展和先進(jìn)封裝技術(shù)的興起自 1947 年美國(guó)電報(bào)電話公司（AT&T）發(fā)明第一只晶體管以來(lái)，半導(dǎo)體封
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臺(tái)積電先進(jìn)封裝技術(shù)對(duì)AI計(jì)算能力至關(guān)重要
- 隨著對(duì)人工智能（AI）計(jì)算能力的需求飆升，先進(jìn)封裝能力成為關(guān)鍵。據(jù)《工商時(shí)報(bào)》援引業(yè)內(nèi)消息的報(bào)道指出，臺(tái)積電正在聚焦先進(jìn)封裝的增長(zhǎng)潛力。南臺(tái)灣科學(xué)園區(qū)、中臺(tái)灣科學(xué)園區(qū)和嘉義科學(xué)園區(qū)都在擴(kuò)建。今年批準(zhǔn)的嘉義科學(xué)園區(qū)計(jì)劃提前建造兩座先進(jìn)封裝工廠。嘉義科學(xué)園區(qū)一期工程計(jì)劃在本季度破土動(dòng)工，預(yù)計(jì)將在明年下半年進(jìn)行首次設(shè)備安裝。二期工程預(yù)計(jì)將在明年第二季度開(kāi)始建設(shè)，首批設(shè)備安裝計(jì)劃在2027年第一季度進(jìn)行，繼續(xù)擴(kuò)大其在AI和高性能計(jì)算（HPC）市場(chǎng)的份額。先進(jìn)封裝技術(shù)通過(guò)堆疊實(shí)現(xiàn)性能提升，從而增加輸入/輸出的密度。
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臺(tái)積電正探索新的芯片封裝技術(shù)，先進(jìn)封裝或?qū)⒋蠓女惒?/a>
- 據(jù)媒體報(bào)道，為滿足未來(lái)人工智能（AI）對(duì)算力的需求，臺(tái)積電正在研究一種新的先進(jìn)芯片封裝方法，使用矩形基板，而不是傳統(tǒng)圓形晶圓，從而在每個(gè)晶圓上放置更多的芯片。多位知情人士表示，臺(tái)積電正在與設(shè)備和材料供應(yīng)商合作開(kāi)發(fā)這種新方法，不過(guò)商業(yè)化可能需要幾年時(shí)間。AI算力加速建設(shè)，國(guó)際大廠引領(lǐng)先進(jìn)封裝技術(shù)持續(xù)迭代。華福證券表示，后摩爾時(shí)代來(lái)臨，先進(jìn)封裝大放異彩。據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2022-2028年先進(jìn)封裝市場(chǎng)將以10.6%的年化復(fù)合增長(zhǎng)率增至786億美元，且2028年先進(jìn)封裝占封裝行業(yè)的比重預(yù)計(jì)將達(dá)到57.8%，先進(jìn)
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臺(tái)積電先進(jìn)制程/CoWoS先進(jìn)封裝漲價(jià)？
- 近日，臺(tái)積電在嘉義科學(xué)園區(qū)新建的第一座CoWoS廠突然暫停施工，原因是6月初工地發(fā)現(xiàn)疑似文物遺跡。臺(tái)積電方表示，P1廠暫時(shí)停工，同時(shí)啟動(dòng)P2廠工程先行建設(shè)。另外，近期行業(yè)消息顯示，臺(tái)積電擬調(diào)漲先進(jìn)制程和先進(jìn)封裝報(bào)價(jià)。1臺(tái)積電嘉義先進(jìn)封裝廠暫停施工6月17日消息，臺(tái)積電此前在嘉義科學(xué)園區(qū)規(guī)劃建設(shè)的兩座CoWoS先進(jìn)封裝廠，第一座CoWoS廠已于5月動(dòng)工，進(jìn)行地質(zhì)勘探工作。但目前現(xiàn)場(chǎng)已暫停施工，原因是6月初工地發(fā)現(xiàn)疑似文物遺跡。嘉義縣南科管理局表示，臺(tái)積電在嘉義科學(xué)園區(qū)興建的第一座CoWoS廠，6月初挖掘到疑
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臺(tái)積電進(jìn)駐嘉義開(kāi)始買(mǎi)設(shè)備，或沖刺CoWoS 先進(jìn)封裝
- 業(yè)界傳出，臺(tái)積電南科嘉義園區(qū)CoWoS新廠正進(jìn)入環(huán)差審查階段，即開(kāi)始采購(gòu)設(shè)備，希望能加快先進(jìn)封裝產(chǎn)能建置腳步，以滿足客戶需求。同時(shí)，南科嘉義園區(qū)原定要蓋兩座CoWoS新廠還不夠用，臺(tái)積電也傳出派員南下勘察三廠土地。針對(duì)上述消息，臺(tái)積電昨（11）日表示，不評(píng)論市場(chǎng)傳聞。此前中國(guó)臺(tái)灣嘉義縣政府之前公布，臺(tái)積電先進(jìn)封裝廠將進(jìn)駐南科嘉義園區(qū)，占地約20公頃，其中，第一座先進(jìn)封裝廠規(guī)畫(huà)面積約12公頃，預(yù)計(jì)2026年底完工，并創(chuàng)造3000個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。據(jù)悉，臺(tái)積電初期規(guī)劃要在當(dāng)?shù)亟▋勺冗M(jìn)封裝廠。依據(jù)臺(tái)積電官方資訊，后
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馬來(lái)西亞6萬(wàn)工程師培訓(xùn)計(jì)劃啟動(dòng)：力爭(zhēng)成為芯片中心
- 5月29日消息，馬來(lái)西亞總理安瓦爾近日公布了國(guó)家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略（NSS），這一雄心勃勃的計(jì)劃旨在吸引至少5000億林吉特（相當(dāng)于約1064.5億美元）的投資，覆蓋芯片設(shè)計(jì)、先進(jìn)封裝和制造設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域。作為戰(zhàn)略的核心，馬來(lái)西亞計(jì)劃大力培訓(xùn)和提升本地高技術(shù)工程師的技能，目標(biāo)是培養(yǎng)并擴(kuò)大一個(gè)由6萬(wàn)名專(zhuān)業(yè)人才組成的隊(duì)伍，從而將該國(guó)塑造為全球半導(dǎo)體行業(yè)的研發(fā)中心。在談及當(dāng)前科技發(fā)展的迅猛勢(shì)頭時(shí)，安瓦爾總理引用了一系列引人注目的數(shù)據(jù)，Netflix用了三年半的時(shí)間才積累到一百萬(wàn)用戶，而Facebook只用了10個(gè)月
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先進(jìn)封裝介紹
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