2007年第4季度摘要:
· 總收入為4.079億美元
· 扣除利息、稅項、折舊及攤銷前盈利(EBITDA)為9,550萬美元
· 每股全面攤薄凈收入0.20美元
· 非公認會計原則每股全面攤薄凈收入0.23美元
· 現金及現金等值2.746億美元
· 2007年12月31日向Analog Devices, Inc. 收購中央處理器電壓及PC熱監控產品部
· 宣布
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安森美 半導體 2007 200802
一、快恢復整流二極管的結構特點及特性
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快恢復整流二極管是近期問世的新型半導體器件,它的內部結構與普通二極管不同,它在P型、N型硅材料中間增加了基區I,構成P—I—N硅片。由于基區很薄,反向恢復電荷很小,使反向恢復時間大大減少。除此之外,還降低了瞬態正向壓降,使二極管能承受很高的反向電壓。
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? 反向恢復時間t1是快恢復二極管的重要參數,它是指電流通過零點由正向轉換成反向,再從反向轉換到規定低值的時間間隔,如圖14-20所示。
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半導體 快恢復 整流二極管
一、開關二極管的特性
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由于半導體二極管具有單向導電的特性,在正偏壓下PN結導通,在導通狀態下的電阻很小,約為幾十至幾百歐;在反向偏壓下,則呈截止狀態,其電阻很大,一般硅二極管在10MΩ以上,鍺管也有幾十千歐至幾百千歐。利用這一特性,二極管將在電路中起到控制電流接通或關斷的作用,成為一個理想的電子開關。開關二極管就是為在電路上進行“開”、“關"而特殊設計制造的一類二極管。開關二極管從截止(高阻狀態)到導通(低阻狀態)的時間叫開通時間
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半導體 開關二極管
一、雙向觸發二極管的結構與特性
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雙向觸發二極管由硅NPN三層結構組成,它是一個具有對稱性的半導體二極管器件,可等效為基極開路、集電極與發射極對稱的NPN半導體三極管,如圖14-38所示。
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雙向觸發二極管的伏安特性曲線如圖14-39所示,其正向和反向具有相同負阻特性。當雙向觸發二極管兩端所加電壓V,低于正向轉折電壓VBO時,器件呈高阻狀態。當外加電壓升高到VBO時,器件擊穿導通,由高阻轉為低阻進入負阻區。同樣,當所加電壓大于反向轉折電壓-UBO時,器件也會擊穿導通進入負阻
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半導體 雙向 觸發 二極管
國際半導體設備和材料協會(SEMI)的代表,與大連開發區管委會領導共同簽署“大連半導體產業園合作備忘錄”——雙方將共同協作,為英特爾芯片項目提供更便捷的配套服務,同時完善大連的半導體產業鏈、資金鏈與人才鏈,使大連成為國際一流的半導體產業基地。大連市長夏德仁、副市長戴玉林,SEMI全球總裁Stanley T. Myers先生等領導和嘉賓出席了簽字儀式。
SEMI協會的會員主要為在半導體、平板顯示、納米以及MEMS等領域提供設備、材料以及服務的公司,全
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SEMI 大連 半導體
來自英國的為地面廣播接收應用提供創新可配置 RF 解決方案的Mirics 半導體公司,今天宣布其產品系列新增了 MSi002 多波段調諧器 IC。 MSi002 調諧器帶有工業標準的 12C 控制接口,可支持老式單一標準和多標準解調器 IC。Mirics 通過使用創新設計技術進行工程設計,MSi002 能夠向消費電子設備提供高性能廣播接收解決方案,這些電子設備包括移動手持設備、便攜收音機、PMP、筆記本電腦和 USB TV 加密狗。該裝置是對 Mirics 的突破性 MSi001 調諧器的補充,MSi
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RF Mirics 半導體
在電子信息產業迅猛向前發展的今天,我們震驚于各種電子信息產品,如筆記本電腦、手機、液晶電視機、數碼相機和攝影機、MP4等給我們生活帶來極大便利的同時,我們感覺到現在的電器產品較以前越來越小,且功能越來越完備、功耗越來越小,價格越來越便宜。這一切都歸功于電器產品核心——半導體元器件和眾多的被動貼片元件越來越小型化、高精度、低功耗化,使得家用電器類等信息產品小型化成為可能。
MLCC正形成規范化工業生產
片式多層陶瓷電容器(Multi-layerCeramicCapac
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MLCC 電容器 半導體
德州儀器(TI)在其成功開展中國大學計劃12年之際,又在中國新設“德州儀器創新基金”和“德州儀器杰出教育者獎”。從2008年起,新的基金和獎項將用以支持中國大學的素質教育、科研項目和獎勵運用半導體技術進行教學和科研的教育工作者,體現了TI長期致力于發展中國高等教育,培養電子信息技術人才的決心。 TI的中國大學計劃始于1996年,12年來已協助中國的141所大學建立超過160個實驗室。目前,TI的DSP、微控制器以及模擬技術在這些大學的教學科研活動中被廣泛
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德州儀器 半導體 TI
最近幾年來MEMS(Micro Electro MECHANICAL Systems)技術在國內外得到了迅猛的發展,MEMS產品已經有了開拓性的應用,MEMS產業鏈將會迅速掘起,預計2007年全球MEMS元器件銷售總額將突破70億美元。
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半導體 MEMS
SEMI首席執行官StanleyMyers近日表示,全球芯片制造商今年在半導體設備方面的支出預計將減少1.4%,不過鑒于這些企業為保市場占有率而不斷努力,其在半導體設備方面的支出從2009年起可能恢復增長。
Myers表示,2008年全球芯片制造商在芯片制造設備方面的資本支出預計為411億美元,低于去年的417億美元,原因在于芯片價格大幅滑坡令多數芯片制造商遭受損失。
Myers在首爾參加一個芯片設備會議的間隙接受道瓊斯通訊社(DowJonesNewswires)采訪時稱,盡管過去幾年的設
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芯片 半導體
中芯國際(下稱“中芯”)總裁張汝京不愧是全球半導體業著名的建廠高手。張汝京在深圳宣布,公司將在深圳投資15.8億美元,建設新的芯片生產線項目,深圳也將成為中芯國際南方基地。
而這也將是中芯在大陸的第六個生產基地。此前,從2000年開始,它相繼在上海、北京、武漢、成都設立了工廠。而天津工廠則是從摩托羅拉手中買來。
投資15.8億美元
中芯國際將延續上海、北京投資模式,在深圳獨資成立“中芯國際深圳公司”。新的生產基地,未來將包括一座半導體技
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中芯國際 半導體 摩托羅拉
由IBM主導的半導體聯盟“通用平臺(CommonPlatform)”表示計劃集中投資32納米平臺。通用平臺由IBM、三星電子、特許半導體(新加坡)等企業組成,這些企業以共享半導體設計和制造環境為目的組成這一聯盟,并生產了90納米手機芯片,而且正在開發64納米、45納米工程。這次由9個企業組成的聯盟正式表明了集中投資32納米工程的意向,半導體平臺的時代交替顯得更加指日可待。
IBM雖然沒有透露詳細計劃,但表示對32納米平臺的開發投入將是目前投資規模的兩倍。IBM稱,整體
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半導體,32納米
盡管DRAM價格暫止血,但全球DRAM廠虧損黑洞卻持續擴大,為搶救當前重大危機,包括國際大廠及臺系DRAM廠紛紛被迫出招應對,其中,全球第3大DRAM廠奇夢達(Qimonda)旗下位于亞太唯一自建12英寸廠,目前已確定將暫停機器設備移入;至于同樣面臨極大壓力的臺廠,則傳出茂德決定在中科12英寸廠歲修時程將破天荒長達10天。臺DRAM廠坦言,目前全球DRAM產業鏈的庫存非常夠用,盡管拉長歲修時程對整體供需幫助不大,卻凸顯各DRAM廠面對虧損擴大壓力,紛紛展開應變措施。
現階段對于DRAM廠而言,投資建廠
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DRAM 半導體 Qimonda
?? 對從事半導體芯片設計業的王斌(化名)來說,剛剛到來的2008年將是艱難的一年。
作為一家中小型IC設計企業的CEO,王斌在2007年末忍痛裁掉了幾十名員工,原因是后續資金缺位帶來了周轉難題。他的新年希望是,能夠吸引更多的風險投資基金,以改善公司目前被動的發展局面。
然而情況并不樂觀。來自美國國家風險投資協會(以下簡稱"NVCA")最新公布的一份調查顯示,盡管2008年全球投在高科技項目上的風險投資將繼續增加,但半導體產業投資卻會下滑。
這對王
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半導體 芯片設計
據國外媒體報道,有業內分析師對全球半導體行業在今年的走勢進行預判,得出全年低開低走的悲觀預測。其中,IBM和AMD的芯片業務將出現較大變動,中芯國際或出現轉機。
以下為2008年全球半導體行業10大預測:
1. 半導體行業出現零增長。全球政治、經濟動蕩,加之行業自身的周期性,整個行業,從芯片到電子消費產品,全部增長乏力。
2. 芯片生產設備遞減20%。DRAM需求銳減;NAND市場遇冷;英特爾緊縮開支。
3. 行業整合愈演愈烈。日美企業將聯手進軍光刻領域。
4. 遠紫外線光刻
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半導體 介紹
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