全球首個22納米節點靜態存儲單元研制成功

　　美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院(CNSE)等機構共同宣布，世界上首個22納米節點靜態存儲單元(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環境下，制造出有效存儲單元。

　　22納米節點靜態存儲單元SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產業中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。

　　新的研究工作是在紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院(CNSE)完成的，IBM及其他伙伴的許多頂尖的半導體研究都在這里進行。IBM科技研發部副總裁T.C. Chen博士稱，“我們正在可能性的終極邊緣進行研究，朝著先進的下一代半導體技術前進。22納米節點靜態存儲單元的研究成果對于不斷驅動微電子設備小型化的追求，可以說至關重要。”

　　22納米是芯片制造的下兩代，而下一代是32納米。在這方面，IBM及合作伙伴正在發展它們無與倫比的32納米高K金屬柵極工藝(high-K metal gate technology)。

　　從傳統上而言，22納米節點靜態存儲單元SRAM芯片通過縮小基本構建單元，來制造得更加緊密。IBM聯盟的研究人員優化了SRAM單元的設計和電路圖，從而提升了穩定性，此外，為了制造新型SRAM單元，他們還開發出幾種新的制作工藝流程。研究人員利用高NA浸沒式光刻(high-NA immersion lithography)技術刻出了模式維度和密度，并且在先進的300毫米半導體研究環境中制作了相關部件。

　　與22納米節點靜態存儲單元SRAM相關的關鍵技術包括：邊帶高K金屬柵極、25納米柵極長度晶體管、超薄隔離結構(spacer)、共同摻雜、先進激活技術、極薄硅化物膜以及嵌入式銅觸點等。