DRAM替代品現身 軟性憶阻器開啟內存科技新大門

　　據港臺媒體報道，美國國家標準和技術研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發研究，希望能為內存科技打開新的大門。這項技術雖然相當創新，但其實去年已經先由惠普對外展示它靈活的形式，讓外界為之驚艷。

　　根據《CENT》報導，NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成，是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIST 研究團隊表示，這項新開發的憶阻器能在不到 10 伏特的電流下運作，即使電力被切斷也可維持記憶能力，還能在伸縮逾 4000次的情況下，仍能有效運作。

　　Nist 研究員 Nadine Gergel-Hackett 在一份聲明中指出：“我們希望能在電子產品被廣泛運用的當下，創造一種軟性且靈活的內存組件，進一步推動軟性電子產品的發展和計量學”。

　　現在，NIST 的研究小組用一種相當便宜的技術就能制造出憶阻器，他們透過二氧化鈦在旋轉時“溶膠凝膠法”的液態形式，把它擺放在透明的薄片上，然后讓聚合物在室溫下變干。研究人員在一份報告中指出，這樣制造出來的憶組體能保持非揮發性長達 14 天。

　　Nadine Gergel-Hackett 更指出：“由于憶阻器能夠從液體中被制出，未來具有很大的發展潛力，說不定未來憶阻體的制造過程能變得簡單又便宜，就像我們目前把它印在透明的幻燈片上的做法一樣。”

　　有關憶阻器的假設其實早在 70 年代就已經被學者提出，但一直到 2008 年才由惠普的研究人員真正證明它的存在。由于憶阻體在沒有電流通過下，還能記憶先前通過的電量，民眾未來就不必擔心計算機因為重新開機而喪失數據。這項技術也進一步提升芯片性能，更能讓芯片體積變得更加輕巧，甚至取代現今所使用的動態隨機存取存儲器 (DRAM)。

　　NIST 也強調，憶阻器能夠為芯片帶來更多發展空間，不僅適用各項科技發領域，甚至可用于監測血糖和心跳的醫療用途等。