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DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門

• 　　據(jù)港臺媒體報道，美國國家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相當(dāng)創(chuàng)新，但其實(shí)去年已經(jīng)先由惠普對外展示它靈活的形式，讓外界為之驚艷。 　　根據(jù)《CENT》報導(dǎo)，NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成，是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIS
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