EV Group將與CEA-Leti共同開發三維積層技術

　　奧地利EV Group(EVG)宣布，將與法國CEA/Leti(法國原子能委員會的電子信息技術研究所)共同開發TSV(硅通孔)等三維積層技術。EVG將向CEA/Leti提供支持300mm晶圓的接合和剝離技術。計劃于2009年5月向CEA/Leti供貨上述裝置系統。此次的共同開發，將加速TSV技術的實用化進程。

　　一般情況下，在生產三維積層元器件時將硅晶圓研磨變薄的工序中，為保持研磨的晶圓強度需要使用支持底板。而支持底板臨時粘合后要進行剝離。EVG提供的就是臨時粘合工序中的技術。雙方已經共同生產了采用TSV技術的三維積層元器件。CEA/Leti擅長硅晶圓上的微納米技術和納米技術。

　　EVG通過此次的共同開發，加深了與CEA/Leti和與EVG和CEA/Leti有合作關系的美國Brewer Science之間的關系。雙方表示，“通過進行共同開發，不但能彰顯材料廠商、裝置廠商和研究機構之間合作的相乘效果，還能進一步提高三維積層元器件的性能及尋求臨時粘合技術的新需求”。