TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI　

　　TDK 公司日前宣布開發出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產品計劃于九月份開始銷售。

　　GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節/頁和4K字節/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元 （SLC） 和多級單元（MLC） NAND 閃存，實現了從128M字節到1 G字節（SLC） 和256M字節到32G字節（MLC）的高速閃存存儲容量，因而該控制器適用的應用領域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VFBGA封裝方式。

　　該控制器實現了高速控制、采用15位糾錯碼（ECC）、GBDriver系列共有的自動恢復功能以及斷電時的并行錯誤預防功能，這些設計提高了NAND閃存的數據可靠性。

　　此外，GBDriver RA8系列采用了一種新式獨創的靜態耗損均衡算法（static wear leveling algorithm），使每個存儲塊的重寫次數更加平均，這樣就最大程度地延長了NAND閃存的擦寫壽命。閃存管理功能包括改進的設定每個存儲塊擦寫次數的“智能功能”（SMART），并對量化評估、管理及NAND存儲系統進行了簡化。

　　TDK將于2008年10月發售配備了新型GBDriver RA8控制器的工業小型閃存卡和固態驅動器（SDD）。

　　主要用途

　　主要用于民用、工業用嵌入式系統設備及 IT 設備，例如：數碼相機、便攜攝像機、數字電視、機頂盒（STB）、多功能打印機、車載導航系統、便攜式導航設備 （PND）、車載音響、電子收費（ETC）終端、銷售點（POS）終端、 金融業務終端與ATM機、醫療設備、測量儀器、機械工具、工廠自動面板計算機及觸摸屏系統。

　　主要特性

　　1. 主機接口：GBDriver RA8與PIO0-6、Multiword DMA 0-4及Ultra DMA0-6兼容，支持高達50 MB/秒的讀訪問速度和35 MB/秒的寫訪問速度（采用MLC 時為15 MB/秒）。（*實際速度取決于安裝的閃存）

　　2. 支持的閃存：GBDriver RA8控制器支持所有廠商最新的2 K字節/頁和4 K字節/頁結構的NAND閃存及其最新產品。由于這些產品都與SLC和MLC NAND閃存兼容，該控制器實現了從128M字節到16G字節（SLC）和256M字節到32G字節（MLC）的存儲容量。

　　3. 適用于所有存儲塊的靜態耗損均衡功能：新的靜態耗損均衡算法使每個存儲塊的擦寫次數更加平均。可將靜態耗損均衡設為任意范圍，超出靜態耗損均衡的區域按動態耗損均衡管理。

　　4. 改進的斷電耐受性：在寫數據時如發生斷電，獨創的算法可全面預防并行錯誤，不讓錯亂的數據寫入。

　　5. 糾錯和恢復：閃存鑒別功能采用8位/段ECC或15位/段ECC來提供糾錯能力，為適應未來的發展預留了空間。自動恢復功能包括在重復讀取數據時自動糾正位錯誤（讀干擾錯誤）。

　　6. 其他功能：

　　（a） 總簇數量設置功能可調高或調低分配給數據區的邏輯塊數量。例如，可通過減少數據區邏輯塊的數量來提高可寫入數據的次數。反之，如果應用不要求長壽命，可通過增加數據區邏輯塊的數量來加大存儲容量。

　　（b） 保護功能采用ATA標準保護功能，使用戶能夠設置和取消密碼以保護重要數據。

　　（c） “智能命令”支持可通過“智能命令”設定所有內存塊的擦寫次數，便于確定閃存狀態和相關管理。

　　7. 解決方案支持TDK自2000年開始自主研發和銷售GBDriver系列NAND閃存控制器，依托其先進技術為日本和國外客戶提供技術支持，包括派遣現場應用工程師和實施可靠性監控工作，嵌入式系統市場對此有強烈需求。

　　生產銷售計劃

　　—生產地點： 日本—生產能力： 100，000單元/月（預計）

　　—樣品出貨： 2008年9 月