- TSMC今(21)日宣布該公司符合汽車電子AEC-Q100第一級(AEC-Q100 grade1)高規格要求之0.25微米嵌入式快閃記憶體工藝，累積出貨量已達到60萬片八吋晶圓，為客戶產出各種不同汽車電子應用之集成電路產品，相當于微控制器(MCU)的出貨量已超過7億2千萬個。在2009年，部分客戶產品的實際行車故障率(field failure rate)已達到低于千萬分之一(<0.1ppm)的極高水準。
考慮每個產品在測試篩選過程中，其資料寫入及消除(endurance cycles)及
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臺積電 嵌入式 快閃記憶體
- 日前，序列式快閃記憶體(Serial Flash)生產制造公司旺宏電子(TSE:2337)宣布，領先業界推出全球第一顆256Mbit序列快閃記憶體產品─MX25L25635E。
旺宏電子創新的32位元定址技術，利用簡單的切換，即可讓原有的記憶體容量提高至256Mbit，并且還提供了能相容于既有24位元定址的模式，使得系統工程師及制造商易于提高原有產品的功能及效能。
據了解，旺宏電子256Mbit序列快閃記憶體產品的主要應用市場，是在需大量程式碼及資料存儲方面，如高階網通、WiMAX、服務器
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旺宏 快閃記憶體 MX25L25635E
- 據國外媒體報道，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示，其在韓國建成的新NAND快閃記憶體制造工廠正式投產。
據國外媒體報道，Hynix表示，該新廠位于清州，月產量可達到30萬件，并有望于在數月后提高到50萬件。
Hynix在清州還建有另外兩個芯片制造廠，目前正在運作當中。
Hynix的首席執行官Kim Jong-gap表示，公司計劃加強產品在價格方面的競爭力，并在接下來的研發道路中保持高水準的投資。
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NAND Hynix 快閃記憶體
- 磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導體正試圖證明這一點。
根據消息，飛思卡爾半導體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經獲得了幾個風險投資公司的加入。據悉他們將聯合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術公司，側重于研發制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關產品的市場份額”。
MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規硅電路相結合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
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MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
快閃記憶體介紹
快閃記憶體 百科名片
快閃記憶體的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡稱為"Flash"，它屬于內存器件的一種。
目錄
二、閃存的物理特性與常見的內存的差異
三、性能比較
四、接口差別
五、容量和成本
六、可靠性和耐用性
七、壽命(耐用性)
八、位交換
九、壞塊處理
十、易于使用
十一、軟件支持
十二、其他作用二、閃存的物理特性與常見的內存的差異
三、性能比較 [
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