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        青島研制首臺半導體照明關鍵設備

        作者: 時間:2008-05-16 來源:中國建設報 收藏

          由青島公司承擔的國家“863”工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外材料生長設備”制造取得重大突破,有關人員研制成功了我國首臺具有自主知識產權的、能夠同時生長6片外延片的MOCVD設備。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/82709.htm

          據悉,該設備集精密機械、材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體,是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備,在高亮度的藍光發光二極管()、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域中具有廣泛應用,是產業上游階段關鍵設備。目前,國內半導體產業的研發和生產所需設備全部需要從國外購買。

          青島市科技局人士介紹說,半導體照明產業基地是青島確定重點建設的十大產業基地之一,今后將在科技攻關、人才團隊及平臺建設等方面全力推進。



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