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        恩智浦半導體與臺積電于國際電子器件會議發(fā)表七項半導體創(chuàng)新技術

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        作者: 時間:2007-12-18 來源:電子產品世界 收藏

          由飛利浦創(chuàng)建的獨立公司 (NXP Semiconductors)與臺灣積體電路制造股份有限公司于美國華盛頓特區(qū)(Washington D.C.)舉行的國際電子器件會議(International Electron Devices Meeting,IEDM)上共同發(fā)表七篇技術文章,報告雙方通過-研究中心(NXP-TSMC Research Center)合作開發(fā)的技術及制程方面的創(chuàng)新。

          在會議中,研究中心發(fā)表了創(chuàng)新的嵌入式存儲技術,這與傳統(tǒng)的非易失性存儲器相較,速度最多可以快上1,000倍,同時也具備小尺寸及低功耗等優(yōu)勢,預估其功耗較目前的存儲器至少小十分之一,制造成本也比一般的嵌入式存儲器節(jié)省百分之五到十。此外,在使用近距無線通信技術(NFC,Near Field Communication)進行移動支付或數據傳輸時,此技術有助于避免數據干擾并可以增加數據傳輸的安全性。

          另一個技術文章發(fā)表的是置換傳統(tǒng)石英諧振器的創(chuàng)新突破,此技術可以在芯片中內建更小及更薄的定時器,而可以直接在智能卡或移動電話SIM卡芯片上內建定時器,進一步強化智能卡的加密保護功能。

          此外,該研究中心也將發(fā)表在晶體管上的創(chuàng)新突破,報告新一代晶體管的效能以及其在多方面的應用。

          恩智浦 –研究中心于IEDM所發(fā)表的七篇技術文章其創(chuàng)新突破簡介如下:

          *提高晶體管頻率 (High Frequency Breakthrough): A novel fully self-aligned SiGe:C HBT architecture featuring a single step epitaxial collector-base process

          *簡化便攜產品應用的低耗電量CMOS制程 (Process Simplification for Low Power CMOS Processes for Portable Applications): Tuning PMOS Mo(O,N) metal gates to NMOS by addition of DyO capping layer

          *新一代晶體管 (New Generation Transistor): Demonstration of high-performance FinFET devices featuring an optimized gatestack

          *展現高效能CMOS制程 (Demonstration of High Performance Full CMOS Process): Low Vt CMOS using doped Hf-based oxides, TaC-based Metals and Laser-only Anneal

          *創(chuàng)新的電路設計,大幅降低功耗百分之八十 (Reducing Power Consumption Effectively by 80%): Rapid circuit-based optimization of low operational power CMOS devices

          *更快速、更省電、尺寸更小的嵌入式存儲器 (Faster, Low Power, Scalable Embedded Memory): Evidence of the thermo-electric Thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells

          *諧振器技術突破 (Resonator Technology Breakthrough): Scalable 1.1 GHz fundamental mode piezo-resistive silicon MEMS resonator



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