恩智浦半導體與臺積電于國際電子器件會議發表七項半導體創新技術

　　由飛利浦創建的獨立半導體公司恩智浦半導體 (NXP Semiconductors)與臺灣積體電路制造股份有限公司于美國華盛頓特區(Washington D.C.)舉行的國際電子器件會議(International Electron Devices Meeting，IEDM)上共同發表七篇技術文章，報告雙方通過恩智浦-臺積電研究中心(NXP-TSMC Research Center)合作開發的半導體技術及制程方面的創新。

　　在會議中，恩智浦 –臺積電研究中心發表了創新的嵌入式存儲技術，這與傳統的非易失性存儲器相較，速度最多可以快上1,000倍，同時也具備小尺寸及低功耗等優勢，預估其功耗較目前的存儲器至少小十分之一，制造成本也比一般的嵌入式存儲器節省百分之五到十。此外，在使用近距無線通信技術(NFC，Near Field Communication)進行移動支付或數據傳輸時，此技術有助于避免數據干擾并可以增加數據傳輸的安全性。

　　另一個技術文章發表的是置換傳統石英諧振器的創新突破，此技術可以在芯片中內建更小及更薄的定時器，而可以直接在智能卡或移動電話SIM卡芯片上內建定時器，進一步強化智能卡的加密保護功能。

　　此外，該研究中心也將發表在晶體管上的創新突破，報告新一代晶體管的效能以及其在多方面的應用。

　　恩智浦 –臺積電研究中心于IEDM所發表的七篇技術文章其創新突破簡介如下：

　　*提高晶體管頻率 (High Frequency Breakthrough): A novel fully self-aligned SiGe:C HBT architecture featuring a single step epitaxial collector-base process

　　*簡化便攜產品應用的低耗電量CMOS制程 (Process Simplification for Low Power CMOS Processes for Portable Applications): Tuning PMOS Mo(O,N) metal gates to NMOS by addition of DyO capping layer

　　*新一代晶體管 (New Generation Transistor): Demonstration of high-performance FinFET devices featuring an optimized gatestack

　　*展現高效能CMOS制程 (Demonstration of High Performance Full CMOS Process): Low Vt CMOS using doped Hf-based oxides, TaC-based Metals and Laser-only Anneal

　　*創新的電路設計，大幅降低功耗百分之八十 (Reducing Power Consumption Effectively by 80%): Rapid circuit-based optimization of low operational power CMOS devices

　　*更快速、更省電、尺寸更小的嵌入式存儲器 (Faster, Low Power, Scalable Embedded Memory): Evidence of the thermo-electric Thomson effect and influence on the program conditions and cell optimization in phase-range memory cells

　　*諧振器技術突破 (Resonator Technology Breakthrough): Scalable 1.1 GHz fundamental mode piezo-resistive silicon MEMS resonator