Aviza與瑟思將重點集中于ALD膜層的晶圓背面和倒角處的去除解決方案

　　2005年7月11日訊—經過量產驗證的熱處理系統以及原子膜層沉積（ALD）的全球供應商Aviza Technology公司, 和半導體業界中單晶圓濕式處理技術的市場領先者及首要的技術創新者SEZ（瑟思）集團于今日聯合宣布，將攜手應對新一代IC制造過程中面臨的關于去除ALD膜層的一系列重要挑戰。協議約定，兩個公司將利用雙方的專家技術，共同開發應用于ALD高級膜層的沉積和去除等解決方案，合作重點將是晶圓的背面和倒角。

　　SEZ全球新興技術部總監Leo Archer 博士評論說：“隨著半導體器件的日益復雜化，在IC制造工藝過程中，晶圓背面和倒角膜層的去除技術也變得越來越重要。”他進一步表示：“由于雙方都能夠很好地定位以解決90納米技術節點以下的膜層沉積和去除的復雜問題，因此與Aviza Technology公司的合作將是一個雙贏的創舉。通過開發、定義以及細化ALD膜層去除的工藝制程，我們確信能夠為客戶提供他們所需要的解決方案，以應對先進的半導體制造的挑戰。”

　　退火的條件往往能夠影響到晶圓背面和倒角膜層去除工藝過程的復雜程度。隨著晶體化水平的不斷增加，經過退火的膜層需要定制化的生產程式和化學品，以確保精確的去除，同時還要能夠保證膜層屬性的完整性，并降低交叉污染－進而提高良率。由于合成物的復雜性，這種高級膜層的目標往往定位于45納米的高k值的門極絕緣體－諸如氧化鉿（HfO）、硅酸鋁（HfSiO）, 氮氧硅酸鉿（HfSiO/N）以及金屬類的釕（Ru）－在膜層去除的階段，引發了更大的挑戰，即要有選擇地去除從晶圓背面和倒角處的這些材料導致的污染，同時對晶圓正面進行有控制地保護，以防止交叉污染和微塵粒子的產生。這些可能會導致一些會影響器件性能、薄膜分層和光刻的問題，最終會影響器件的良率。因為，當基層材料是硅、氧化硅、或者是氮化硅時，過多的除去在下面的基層材料未必有利，甚而可能造成不必要的傷害。過量的蝕刻可能會去除一層必要的擴散柵極，也可能會影響晶圓的表面平整度和均一度。因此，膜層去除的選擇比很重要。

　　顯而易見，SEZ的旋轉處理器技術有利于這類工藝制程，原因是該技術允許將已長有圖形（patterned）的晶圓正面朝下，在已獲得專利的柏努利（Bernoulli）卡盤上進行處理。而且更為重要的是組合的卡盤、化學品配送系統以及反應倉使得晶圓正面到預先定義的距離上的高度控制的保護。

　　Aviza Technology 公司ALD產品管理總監Jon Owyang表示：“材料和工藝制程ALD應用的研發是加快ALD的發展路線和推動ALD的被市場的采納的關鍵。Aviza正在持續地評估和開發高級膜層以便及時完善新一代的制造工藝制程。通過與SEZ合作，我們意欲有效利用公司核心領域的專家技術為我們的客戶開發出先進的制造和工藝制程解決方案，以達到晶圓背面的對微量材料和晶圓背面的對微塵粒子程度的要求。”

　　Aviza 和SEZ 集團將于2005年7月12-14日在美國舊金山(San Francisco)的Moscone Convention Center 舉行的SEMICON West 2005展會上參展。如若需要了解關于這兩家公司和它們的產品的更多信息，屆時敬請光臨南廳＃1616的Aviza展臺和北廳＃5568的 SEZ集團展臺。