飛兆半導體宣布推出采用SO-8封裝的80伏N溝道MOSFET器件FDS3572

飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出采用SO-8封裝的80 伏 N溝道MOSFET器件FDS3572，具備綜合的性能優勢，能同時為DC/DC轉換器的初級和次級同步整流開關電源設計提供優異的整體系統效率。FDS3572提供7.5 nC Miller電荷 (Qgd)，比相同RDS(on) 級別的產品低38％。該器件的低Miller電荷加上低RDS(on) (16毫歐) 特性，其品質因數Figure of Merit (FOM = RDS(on) x Qgd ) 為120， 比最接近的競爭產品低33％ 之多。FDS3572還具有最佳的總門電荷 (在VGS = 10 V為31 nC)，有助降低損秏；低QRR (70 nC)，可降低反向恢復損耗；以及高雪崩性能 (EAS = 515 mJ)，以提高耐用性能。這些產品特性再配合小體積的封裝，使得FDS3572成為今日要求嚴格的電源設計的理想選擇。

FDS3572開關特別適用于預穩壓的高密度隔離全橋或半橋DC/DC轉換器電路應用，也是初級應用的理想器件，包括低壓電信電源、DC/DC轉換器、網絡和數據通信電源、服務器及采用最新總線轉換器拓撲且支持中間母線結構 (IBA) 的調壓模塊 (VRM)。在這些應用中，頻率通常高達250 KHz，而FDS3572極低的Miller電荷可實現快速切換，從而減少動態損耗；至于其超低門電荷則可通過減少驅動器/PWM控制IC的功耗來提高系統效率。

這種先進的器件還可用于同步整流器，以替代DC/DC轉換器次邊的傳統高壓Schottky整流器，輸出電壓為5V至52V。典型的產品應用包括網絡和數據通信DC/DC轉換器及筆記本電腦的外部AC/DC適配器。FDS3572的低RDS(on) 特性可將傳導損耗控制在允許范圍內，并提高筆記本電腦AC/DC適配器的功率密度。功率密度的增強非常重要，因為隨著更多多媒體功能集成于便攜產品平臺上，處理器的功率需求將越來越高。同步整流應用也可得益于FDS3572的高雪崩性能及小尺寸封裝。

飛兆半導體技術市務經理David Grey稱：“現今的DC/DC轉換器設計者總想在預定的散熱限制范圍內，在越來越小的空間中盡量提高功率。FDS3572便可滿足他們對效率、性能及小尺寸封裝的要求，并且能實現極佳的裸片至封裝的利用率。”

FDS3572的推出是飛兆半導體落實其業務承諾的又一例證，提供能滿足現今市場趨勢和需求的產品。飛兆半導體針對DC/DC轉換器應用的其它產品還包括光隔離放大器(FOD27XX系列)、快速恢復二極管及PWM控制器等。而這種無鉛產品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D標準要求，并符合將于2005年生效的歐盟標準。

價格:FDS3572器件每個1.18美元 (訂購1,000個)
供貨:現貨
交貨期: 收到訂單后8周內