應(yīng)用STripFET技術(shù)的新低壓場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管

　　意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）推出多個(gè)基于其STripFET技術(shù)的低壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)MOS晶體管，這些產(chǎn)品的設(shè)計(jì)目標(biāo)是超高開關(guān)頻率的應(yīng)用，對(duì)計(jì)算機(jī)主板和電信客戶極具吸引力。

　　STripFET采用優(yōu)化的布局和最新的制程，提高了柵電荷、柵電阻和輸入電容特性。低柵電荷特性使開關(guān)特性十分優(yōu)秀，低柵電阻意味著瞬間響應(yīng)速度快。這項(xiàng)技術(shù)還創(chuàng)造了極低的靈敏系數(shù)，等于降低了導(dǎo)通和開關(guān)損耗。

　　意法半導(dǎo)體發(fā)布的新產(chǎn)品包括STS12NH3LL, STSJ50NH3LL, STD55NH2LL, STD95NH02L, STL8NH3LL和STL50NH3LL。

　　STS12NH3LL是一款 30V的器件，額定電流12A。STSJ50NH3LL 是一款 30V的器件，額定電流 50A。兩款產(chǎn)品在10V時(shí)典型通態(tài)電阻均是0.008 歐姆，在4.5V時(shí)，通態(tài)電阻與柵電荷之間實(shí)現(xiàn)最佳組合。兩個(gè)產(chǎn)品都是為電信應(yīng)用高頻直流-直流變換器和筆記本電腦內(nèi)部電源管理電路而設(shè)計(jì)。

　　STS12NH3LL有用一個(gè) SO-8 封裝， STSJ50NH3LL 采用一個(gè)PowerSO-8 封裝。

　　STD55NH2LL是一款 24V的器件，額定電流55A。10V時(shí)，典型通態(tài)電阻0.01 歐姆，4.5V時(shí)， 0.012 歐姆。這款器件為高頻直流-直流變換器而設(shè)計(jì)，它采用IPAK (TO-251) 通孔封裝和表面組裝DPAK (TO-252)封裝。

　　STD95NH02L是一款 24V的器件，額定電流80A。在5V時(shí)，典型通態(tài)電阻0.0039歐姆，5V時(shí)， 0.0055歐姆。由于柵電荷極低，在10V時(shí)，這款器件的典型靈敏系數(shù)值為136.5nC*Qg，這是目前市場(chǎng)上的最高水準(zhǔn)，它采用表面組裝DPAK (TO-252)封裝。

　　STL8NH3LL 和 STL50NH3LL 目前采用PowerFLATTM 封裝，改進(jìn)了芯片-占板尺寸比，降低了封裝外廓尺寸和熱阻。

　　STL8NH3LL是一款30V 的器件，額定電流 8A。在10V時(shí)，通態(tài)電阻0.012歐姆，采用一個(gè) 3.3 x 3.3mm 的PowerFLATTM 封裝。

　　STL50NH3LL是一款30V 的器件，額定電流 27A。在10V時(shí)，典型通態(tài)電阻0.011歐姆，采用一個(gè) 6 x 5mm 的PowerFLATTM 封裝。

　　這兩款產(chǎn)品都用于隔離型直流-直流變換器的同步整流電路，以及降壓變換器的控制場(chǎng)效應(yīng)FET晶體管。

　　所有產(chǎn)品都已上市銷售，定購(gòu)30萬(wàn)件的，單價(jià)區(qū)間在0.285到0.485美元之間。