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        采用無損耗封裝的高性能汽車TrenchMOS MOSFET

        作者: 時間:2004-09-16 來源: 收藏

        皇家飛利浦電子公司今天宣布擴展其汽車電源解決方案,正式推出采用飛利浦無損耗(LFPAK)的高性能汽車(HPA)TrenchMOS MOSFET。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/3286.htm

        以上設備結合了飛利浦在汽車領域的經驗和TrenchMOS技術,用以滿足汽車行業的特定需求。飛利浦采用無損耗技術的MOSFET,在非常緊密的小包裝情況下具備加強的熱性能表現,對于引擎管理系統和汽車發動機驅動等高標準應用是非常理想的選擇。

        飛利浦的LFPAK兼具SO8尺寸小的優點和DPAK等較大封裝的良好熱性能,亞洲的設計工程師可用它實現兩個主要功能:改善應用的熱性能并節省電路板空間。加強的熱性能具備更快的開關能力,并在易于散熱的同時保持最低的工作溫度。

        LFPAK還能向上傳導大量能量,并通過源極引腳向外散熱,熱阻低于SO8封裝,可與DPAK和D2PAK等更大的封裝形式相媲美。

        BUK9Y19-55B、BUK9Y40-55B和BUK9Y30-75B是采用了這項領先技術即將推出的新設備,均在邏輯電平工作,額定工作溫度為175攝氏度。

        供貨時間
        飛利浦采用無損耗封裝(LFPAK)的高性能汽車(HPA) MOSFET 現已上市。



        關鍵詞: 封裝

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