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        借力英特爾專利技術(shù) Altera第十代Stratix具備獨特優(yōu)勢

        作者: 時間:2015-07-28 來源:eettaiwan 收藏

          觀察兩大可程式化邏輯元件供應商賽靈思(Xilinx)與之間的較勁,就如同看蘋果(Apple)與三星(Samsung)之間的戰(zhàn)爭一般令人興奮;不過筆者并沒有要比較上述兩家公司,而是著重于他們嘗試將技術(shù)推向極限以保持市場競爭優(yōu)勢的、令人屏息的熱忱。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/277889.htm

          在不久前才發(fā)表了第十代Stratix系列產(chǎn)品(參考閱讀:采用創(chuàng)新架構(gòu) 最新Stratix 10亮相);該公司所關(guān)注的設(shè)計挑戰(zhàn)與今日的各種關(guān)鍵應用相關(guān),包括資料中心、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、400G/terabit網(wǎng)路、光學傳輸、5G無線通訊與8Kg訊。以資料中心為例,這類應用對更高的運算性能、靈活度與節(jié)能效益有越來越多需求;不過資料中心偏好使用商用伺服器,如此能更容易維護一個快速擴充的基礎(chǔ)設(shè)施。

          物聯(lián)網(wǎng)是將各種智慧裝置相互連結(jié)在一起,以及與云端或是資料中心連結(jié);這類應用需要高頻寬的基礎(chǔ)設(shè)施,好將資料中心處理分析過的資訊傳送到連網(wǎng)裝置上。因此,Altera認為這類具備最高成長潛力的應用領(lǐng)域,將會同時帶來為迎合以下需求必須克服的挑戰(zhàn):不斷增加的功能、更高的頻寬與靈活度,以及最基本的小尺寸與更低耗電需求;當然還有最低成本。

          所有這一切無法輕易地在電路板上實現(xiàn),理由與不斷驅(qū)使我們實現(xiàn)更高整合度的原因是一樣的:PCB的尺寸大到無法達成我們渴望的功能性。再加上互連介面的頻寬限制,以及PCB走線的功率耗損,因此你有足夠的動機持續(xù)追求摩爾定律(Moore‘s Law)的預測。

          Altera以更精細的14納米制程來因應以上挑戰(zhàn),而對手Xilinx則是在最新Virtex、Kintex 與Zynq系列產(chǎn)品采用臺積電(TSMC)的16納米制程(發(fā)表時間在Altera的Stratix 10問世前不久);不過因為有各種IP區(qū)塊、嵌入式DRAM與快閃記憶體、影像感測器以及邏輯,成熟技術(shù)各自在不同的制程節(jié)點,積體(monolithic)解決方案已經(jīng)不可行,所以兩家公司紛紛采用異質(zhì)3D封裝技術(shù)。不過因為作法不同,在性能與成本方面也會有所不同。

          Altera的異質(zhì)3D SiP技術(shù)將收發(fā)器裸晶(該公司稱之為Tile)與核心FPGA結(jié)構(gòu)裸晶分開,因此收發(fā)器是位于核心結(jié)構(gòu)旁邊,能以不同的制程節(jié)點來生產(chǎn)。

          

        Intel專利技術(shù)賦予Altera第十代Stratix獨特優(yōu)勢

         

          圖1: Altera的異質(zhì)3D SiP技術(shù)將收發(fā)器Tile與核心FPGA結(jié)構(gòu)裸晶分開

          因此能以不同的制程節(jié)點來生產(chǎn)

          最初的Stratix 10收發(fā)器Tile,包括PCIe Gen3 x16硬IP區(qū)塊;Altera表示,未來可能會推出其他硬體IP,例如PCIe Gen4、多埠乙太網(wǎng)路以及光收發(fā)器(更多Stratix 10相關(guān)資訊請參考此連結(jié))。

          而Altera的解決方案與Xilinx產(chǎn)品最大的差異化,在于前者采用(Intel)專利的EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge)技術(shù);EMIB是具備多繞線層(routing layer)的小型橋接晶片,可取代矽中介層(interposer)與矽穿孔(TSV)技術(shù)。

          根據(jù)Intel與Altera的介紹,這種EMIB技術(shù)能降低訊號劣化與延遲的問題,因為裸晶不必透過中介層與TSV與封裝連結(jié)。

          EMIB vs. 矽中介層-TSV

          在一般晶片封裝中,矽中介層是一片比其他封裝中的互連裸晶尺寸更大的矽;而EMIB這種矽橋接(bridge)則是一小片嵌入兩片互連裸晶邊緣之下的矽,這能讓不同尺寸的裸晶在不同的地方連接,因此降低異質(zhì)裸晶之間的物理限制

          

        Intel專利技術(shù)賦予Altera第十代Stratix獨特優(yōu)勢

         

          圖2: EMIB技術(shù)能減少對微凸塊的需求,因此降低制造的復雜度

          在非EMIB解決方案中的大片矽中介層會(根據(jù)Altera說法是“過分地”)提高成本,而且容易出現(xiàn)像是變形曲翹的問題;EMIB也能降低對微凸塊數(shù)量的需求──傳統(tǒng)晶片會采用大量有微通孔的微凸塊,這提升了制造復雜度也會影響良率,當然也是提高成本的因素之一。對于不太可能取得EMIB技術(shù)的競爭隊史來說,Altera看來略勝一籌,不是嗎?



        關(guān)鍵詞: 英特爾 Altera

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