臺積電公布16納米與10納米制程計劃

　　10納米制程節點

　　臺積電的16納米制程技術預定今年夏天量產，該公司也公布了眾所矚目的10納米制程計畫;10納米制程的邏輯閘密度會是16納米制程的2.1倍，速度提升 20%，功耗則降低40%。臺積電展示了采用10納米節點的256MByte容量SRAM，預計10納米節點將在2016年底開始生產，并透露有10家以 上的夥伴正進行不同階段的設計。

　　“我們認為10納米將會是持久技術節點，臺積電也將加速10納米制程進度，我認為這對產業界來說是一個很不錯的征兆;”Jones表示：“隨著10納米節點加速進展──他們可能最后會邁向8納米節點──臺積電將拉近與英特爾(Intel)的差距，我認為臺積電運勢正好。”

　　Jone指出，臺積電已經在16納米以及10納米技術投資115億至120億美元，這意味著該公司必須要有客戶到位;為了強化10納米制程的承諾，臺積電將在2016年第二季進行一座新晶圓廠的10納米制程設備裝機，并將在本季在一座現有晶圓廠移入10納米設備。

　　英特爾將會是臺積電在10納米制程節點的主要競爭者，前者預期在接下來10~18個月量產10納米制程;而兩者之間的競爭重點或許不在于量產時程，而是英特 爾的設計實力以及制造技術方面的問題。“還不清楚誰會在16/14納米制程領先，但我認為臺積電正積極嘗試在10納米節點超前;”Jone表示：“如果真是如此，臺積電追上了英特爾，屆時就要看臺積電的10納米與英特爾的10納米是否相同。”