瑞薩科技發布用于功率MOSFET的 LFPAK-I上表面散熱型封裝
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這種新封裝的特性總結如下。
(1)與瑞薩科技先前的封裝相比，安裝散熱熱阻值減小了40%，電流容量大約提高了30%。
LFPAK-I使用一種管芯散熱管座暴露在封裝上表面的結構，與瑞薩科技目前的通過印刷線路板散熱的LFPAK封裝形式相比，LFPAK-I的熱沉安裝在頂部（使用強制空氣冷卻時），熱飽和狀態下的安裝熱阻值大約減小了40%，從25
這種新封裝的特性總結如下。
(1)與瑞薩科技先前的封裝相比，安裝散熱熱阻值減小了40%，電流容量大約提高了30%。
LFPAK-I使用一種管芯散熱管座暴露在封裝上表面的結構，與瑞薩科技目前的通過印刷線路板散熱的LFPAK封裝形式相比，LFPAK-I的熱沉安裝在頂部（使用強制空氣冷卻時），熱飽和狀態下的安裝熱阻值大約減小了40%，從25
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