Ziptronix和EVG集團展示晶圓與晶圓間混合鍵合的亞微米精度

　　Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)于2014年5月28日宣布已成功地在客戶提供的 300 毫米 DRAM 晶圓實現亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini? FB 產品融合鍵合機和 SmartView ? NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的 DBI? 混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、高級圖像傳感器和堆棧式系統芯片 (SoC)。

　　Ziptronix 的首席技術官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示：“DBI 混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制，只需要可進行測量的適當的對準和布局工具，而這是之前一直未能解決的難題。EVG 的融合鍵合設備經過優化后實現了一致的亞微米鍵合后對準精度，此對準精度上的改進為我們的技術的大批量生產 (HVM) 鋪平了道路。”

　　新一代 3D 技術的間距測量預計將會持續多年。微間距混合鍵合已應用于高性能的 3D 內存產品，并已宣布大批量生產 3D 圖像傳感器。DBI 混合鍵合可用在晶粒或晶圓級;然而，晶圓級鍵合通過一次鍵合所有晶粒實現了巨大的成本優勢。由于 大部分DBI 混合鍵合在晶圓級進行處理，故具有低總擁有成本的優勢。

　　EVG 的執行技術總監 Paul Lindner 表示：“亞微米精度對于在更廣泛應用的大批量生產中實現微間距連接是至關重要的。隨著行業推動3D集成電路的發展，我們與 Ziptronix 聯合開發生產方案，共同努力為客戶提供驚人的附加價值。”

　　Ziptronix 直接鍵合互連 (DBI?) 混合鍵合是一種導體/電介質鍵合技術，包括各種金屬/氧化物和/或氮化物的組合，不需使用粘合劑，是目前市場上最合適量產的技術。此技術能夠對銅/銅或其他金屬鍵合實現強力、常溫絕緣鍵合、低溫導電鍵合和微間距互連，因為在絕緣和導電表面之間均進行鍵合，故能有效鍵合整個襯底界面區域。

　　EVG 用于通用對準的 SmartView ? NT 自動鍵合對準系統提供了一種晶圓級的面與面之間對準的專有方法，這是在多晶圓堆疊中達到先進技術所需精度要求的關鍵。除了改善 SmartView ? NT 鍵合對準機的對準功能以達到亞微米級的精度，EVG 進行優化，使得表面可以同時為鍵合、電氣連接性和機械強度做好準備。