LG電子將通過混合鍵合進入半導體設備市場

LG 電子已悄然啟動成為半導體設備制造商的計劃。其生產技術研究所已開始開發為下一代高帶寬存儲器 （HBM） 量身定制的混合鍵合機，其內部目標是到 2028 年出貨生產單元。混合鍵合是一種晶圓級連接技術，無需焊料凸塊。相反，每個芯片上的銅焊盤被平坦化到納米級的光滑度，并在室溫下壓合在一起，形成永久的直接電接觸。這種方法可產生更薄的內存堆棧，在更低的溫度下運行，并且比使用傳統熱壓縮鍵合組裝的方法提供更快的電氣性能。HBM 由緊密堆疊的 DRAM 層組成，目前的封裝支持多達 8 層的熱壓鍵合。堆疊超過 12 層會導致焊料凸點間距塌陷，這使得混合鍵合對于更高、更高效的堆疊至關重要。

LG 推動混合鍵合開發之際，行業領導者 SK 海力士、美光和三星競相為 NVIDIA、AMD、英特爾、谷歌和亞馬遜的人工智能系統供應 HBM4 和 HBM4E 內存，計劃于 2026 年推出。為了加速其計劃，LG 正在招聘數十名半導體封裝博士，并與首爾國立大學合作。該公司將混合粘合視為其在 HVAC 和機器人技術方面現有 B2B 產品的自然延伸。目前，只有荷蘭公司 BESI 和美國供應商應用材料公司提供商業混合鍵合，而且在韓國都沒有業務。包括三星的 Semes、Hanwha Semitec 和 Hanmi Semiconductor 在內的本地競爭對手仍處于原型或試點階段。如果 LG 實現其 2028 年目標，其第一批客戶出貨量可能與 SK 海力士的 HBM4E 銷量增長和三星 HBM4 風險線的推出保持一致。