Inversion Semiconductor旨在實現更明亮、更快速的光刻技術
Inversion Semiconductor Inc.(加利福尼亞州舊金山)是一家 2024 年的初創公司,計劃利用粒子加速為下一代光刻技術開發更亮、更可調的光源。
本文引用地址:http://www.104case.com/article/202505/470910.htm該公司表示,與現有系統相比,它將能夠以高達 15 倍的速度制造芯片,并且具有更精細的功能。
Inversion 加入 Lace Lithography 是一家初創公司,希望取代或至少被視為成熟的光刻市場領導者 ASML Holding NV 的替代品。當然,這兩家初創公司都看到了使用 13.5nm 波長的極紫外光進行光刻膠閃光曝光的進一步開發的挑戰。
Inversion 的光刻方法基于使用一種稱為激光尾流場加速 (LWFA) 的現象來創建緊湊的高功率光源。Inversion 預計 LWFA 可以將用于產生高能光的傳統粒子加速器縮小 1,000 倍到桌面大小——即從幾公里縮小到一米左右。這是 Inversion 的支持者 Y Combinator 創業加速器和風險投資公司的說法。
LWFA 利用強激光脈沖和等離子體之間的相互作用,在非常短的距離內將電子加速到極高的能量。這個過程類似于沖浪者在船后面乘風波:電子在等離子體波中“沖浪”并在行進過程中獲得能量。
調低波長
Inversion 估計它可以使用 LWFA 在短距離內將電子加速到多個 GeV 的能量。然后,這些高能電子通過自由電子激光器,該激光器使用磁性結構使電子發射精確波長的相干光
Inversion 計劃像傳統的 EUVL 一樣使用其先進的光源來投影圖案,但光源可調諧至 13.5nm 或更低的波長,下一代目標為 6.7nm。此外,該公司聲稱,它可以在相同的數值孔徑下將晶體管密度增加一倍,同時實現比當前機器高出三倍的吞吐量。光源也可能足夠亮,可以照亮多個晶圓臺,因此一個光源和四臺或八臺光刻機將進一步提高制造效率。
該公司由擔任首席執行官的 Rohan Karthik 和首席技術官 Daniel Vega 創立。這兩個項目在得到 Y Combinator 創業孵化器的支持之前被 Entrepreneur First 計劃選中。Karthik 在英國利茲和倫敦帝國理工學院接受教育,而 Vega 在加利福尼亞州爾灣開始接受教育,但在倫敦大學學院度過了一年,并在歐洲粒子加速研究園區 CERN 進行了研究。
這兩位企業家在舊金山 Y Combinator 大樓的地下室建立了一個激光實驗室,并計劃與勞倫斯伯克利國家實驗室一起測試加速器原型。
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