光刻技術 文章 最新資訊
Inversion Semiconductor旨在實現(xiàn)更明亮、更快速的光刻技術
- Inversion Semiconductor Inc.（加利福尼亞州舊金山）是一家 2024 年的初創(chuàng)公司，計劃利用粒子加速為下一代光刻技術開發(fā)更亮、更可調的光源。該公司表示，與現(xiàn)有系統(tǒng)相比，它將能夠以高達 15 倍的速度制造芯片，并且具有更精細的功能。Inversion 加入 Lace Lithography 是一家初創(chuàng)公司，希望取代或至少被視為成熟的光刻市場領導者 ASML Holding NV 的替代品。當然，這兩家初創(chuàng)公司都看到了使用 13.5nm 波長的極紫外光進行光刻膠閃光曝光的進一步開發(fā)的
- 關鍵字： Inversion Semiconductor 光刻技術
臺積電避免使用高NA EUV光刻技術
- 根據(jù)臺積電北美技術研討會的報告，代工臺積電不需要使用高數(shù)值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會上介紹了 A14 工藝，稱預計將于 2028 年投產(chǎn)。之前已經(jīng)說過，A16 工藝將于 2026 年底出現(xiàn)，也不需要高 NA EUVL 工具。“從 2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續(xù)保持類似的復雜性，”據(jù)報道，業(yè)務發(fā)展高級副總裁 Kevin Zhang 在發(fā)布會上說。這與英特爾形成鮮明對比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實施一項計
- 關鍵字： 臺積電 高NA EUV 光刻技術
ASML：3D整合將成為2D收縮日益重要的補充技術
- 據(jù)媒體報道，3月5日，ASML發(fā)布2024年度報告，首席執(zhí)行官克里斯托弗·福凱（Christophe Fouquet）表示，如果展望ASML的未來增長，光刻技術無疑仍然是摩爾定律的主要驅動力之一，相信這一點在未來許多年里依然成立。與此同時，二維收縮（2D shrink）正變得越來越困難。這并不完全是由于光刻技術的局限性，而是因為我們幾乎達到了邏輯和存儲器客戶所使用的晶體管的極限。為了繼續(xù)在二維收縮方面取得進展，需要在架構和器件上進行創(chuàng)新。這意味著需要進行三維前道整合（3D front-end integr
- 關鍵字： ASML 2D shrink 光刻技術 三維整合
國產(chǎn)光刻膠通過量產(chǎn)驗證
- 據(jù)中國光谷官微消息，近日，武漢太紫微光電科技有限公司（以下簡稱“太紫微公司”）推出的T150 A光刻膠產(chǎn)品，已通過半導體工藝量產(chǎn)驗證，實現(xiàn)配方全自主設計，有望開創(chuàng)國內半導體光刻制造新局面。據(jù)悉，該產(chǎn)品對標國際頭部企業(yè)主流KrF光刻膠系列。相較于被業(yè)內稱之為“妖膠”的國外同系列產(chǎn)品UV1610，T150 A在光刻工藝中表現(xiàn)出的極限分辨率達到120nm，且工藝寬容度更大，穩(wěn)定性更高，堅膜后烘留膜率優(yōu)秀，其對后道刻蝕工藝表現(xiàn)更為友好，通過驗證發(fā)現(xiàn)T150 A中密集圖形經(jīng)過刻蝕，下層介質的側壁垂直度表現(xiàn)優(yōu)異。據(jù)了
- 關鍵字： 太紫微光電 光刻膠 光刻技術
與EUV相比，這一光刻技術更具發(fā)展?jié)摿?/a>
- 對于半導體行業(yè)而言，光刻技術和設備發(fā)揮著基礎性作用，是必不可少的。所謂光刻，就是將設計好的圖形從掩模版轉印到晶圓表面的光刻膠上所使用的技術。光刻技術最先應用于印刷工業(yè)，之后長期用于制造印刷電路板（PCB），1950 年代，隨著半導體技術的興起，光刻技術開始用于制造晶體管和集成電路（IC）。目前，光刻是 IC 制造過程中最基礎，也是最重要的技術。在半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史上，光刻技術的發(fā)展經(jīng)歷了多個階段，接觸/接近式光刻、光學投影光刻、分步（重復）投影光刻出現(xiàn)時間較早，集成電路生產(chǎn)主要采用掃描式光刻、浸沒式掃描光刻
- 關鍵字： EUV 光刻技術
中科院研發(fā)者回應5納米光刻技術突破ASML壟斷
- 今年7月，在中國科學院官網(wǎng)上發(fā)布了一則研究進展，中科院蘇州所聯(lián)合國家納米中心在《納米快報》（Nano Letters）上發(fā)表了題為《超分辨率激光光刻技術制備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團隊研發(fā)的新型5 納米超高精度激光光刻加工方法。該論文發(fā)表在《納米快報》（NanoLetters）。圖截自官網(wǎng)ACS官網(wǎng) 消息一經(jīng)發(fā)出，外界一片沸騰，一
- 關鍵字： 中科院 光刻技術 ASML
IMEC總裁：半導體讓未來世界更加美好
- 來自比利時的IMEC總裁LucVandenhove博士在2012年中國國際半導體技術大會(CSTIC2012)上帶來精彩的視頻動畫，將會議現(xiàn)場的人們帶到了2020年，使觀眾身臨其境感受未來的互聯(lián)時代。 IMEC展示的視頻中的2020年人們生活將實現(xiàn)隨時隨地的互聯(lián)。要想實現(xiàn)這樣的華麗的互聯(lián)技術，就需要半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展為前提，需要半導體高新技術的支持。因此，在未來的10年里，將如何推動半導體技術的發(fā)展擺在我們面前，這也正是Luc Van博士演講的所要說的——“半導
- 關鍵字： 半導體 光刻技術
誰才是IC大佬們的光刻技術最愛？
- 臺積電與Globalfoundries是一對芯片代工行業(yè)的死對頭，不過他們對付彼此的戰(zhàn)略手段則各有不同。舉例而言，在提供的產(chǎn)品方面，Globalfoundries在28nm制程僅提供HKMG工藝的代工服務(至少從對外公布的路線圖上看是這樣)，而相比之下，臺積電的28nm制程則有HKMG和傳統(tǒng)的多晶硅柵+SION絕緣層兩種工藝可供用戶選擇。另外，兩者對待450mm技術的態(tài)度也不相同，臺積電是450mm的積極推進者，而Globalfoundries及其IBM制造技術聯(lián)盟的伙伴們則對這項技術鮮有公開表態(tài)。
- 關鍵字： 臺積電 光刻技術
光刻技術最新進展
- 2004年6月A版 在摩爾定律的指引下，半導體工業(yè)每兩至三年就跨上一個新的臺階，即所謂的半導體技術發(fā)展路線圖(ITRS)。預計2004年進入90nm節(jié)點器件的批量生產(chǎn)，到2007年為65nm。然而這一切變化的關鍵是光刻技術，所以人們統(tǒng)稱光刻技術是半導體工業(yè)的“領頭羊”。2003年ITRS修訂的最新版本如表1所示。 隨著集成電路產(chǎn)品技術需求的提升，光刻技術也不斷地提高分辨率，以制作更微細的器件尺寸。全球光刻技術的進程如圖1所示。 傳統(tǒng)上提高光刻技術的分辨率無非是縮短曝光波長及增大鏡頭的數(shù)值
- 關鍵字： 光刻技術 其他IC 制程
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光刻技術介紹
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