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        晶圓代工:先進制程大戰(zhàn)一觸即發(fā)!

        作者: 時間:2024-12-13 來源:全球半導體觀察 收藏

        AI時代,高性能芯片重要性日益凸顯,推動芯片成為行業(yè)競爭的“關鍵武器”;與此同時,消費電子市場盡管需求尚未恢復,但在旗艦手機不斷迭代助攻之下,芯片同樣在手機市場贏得發(fā)展空間。臺積電、三星、Rapidus最新動態(tài)顯示,3nm芯片商用進程不斷推進,2nm芯片量產在即,大戰(zhàn)一觸即發(fā)。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202412/465492.htm

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        三星3nm良率改善,有望應用于下一代折疊手機

        韓媒近日報道,三星第2代3nm GAA(Gate-All-Around)工藝進入穩(wěn)定階段,工藝良率已改善,受益于此,三星采用3nm工藝的Exynos 2500處理器商用進程有望順利開展。


        圖片來源:三星

        此前媒體報道,由于3nm良率不及預期,三星即將發(fā)布的Galaxy S25系列首批手機將不會搭載Exynos 2500,而會選用由臺積電3nm制程生產的高通Snapdragon 8 Gen 4處理器。

        隨著三星3nm芯片良率提升,三星可能會在明年發(fā)布Galaxy Z Flip FE、Galaxy Z Flip7等下一代折疊屏手機上,使用Exynos 2500處理器。

        除了3nm之外,三星亦在積極推動2nm芯片發(fā)展。按照三星技術路線規(guī)劃,該公司將自2025年起首先于移動終端量產2nm制程芯片,隨后在2026年將其用于高性能計算(HPC)產品,并于2027年擴至車用芯片。

        另據(jù)業(yè)界透露,三星正在開發(fā)下一代Exynos芯片,代號為 "Ulysses",計劃用于 Galaxy S27。這款芯片將采用第二代 2nm工藝 ( SF2P ) ,旨在提升性能和效率,以恢復三星在移動端市場的競爭力。

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        臺積電沖刺2nm,有關鍵秘密武器?

        臺積電同樣將于2025年量產2nm芯片,隨著時間臨近,這家大廠開始發(fā)起沖刺。

        媒體最新報道,臺積電已經對2nm節(jié)點制程進行試產,良率超過了60%。不僅如此,業(yè)界預計臺積電可能會以更快的速度,將良率提升到70%以上,為2nm節(jié)點制程技術量產留下更加充裕的調適時間。

        按照臺積電的計劃,2nm節(jié)點制程技術將于2025年進入大規(guī)模生產階段,而且有著高于3nm節(jié)點制程的市場需求。不過,2nm面臨更高成本,此前業(yè)界評估,每片2nm節(jié)點制程技術的晶圓定價預計將超過3萬美元。另據(jù)報道,2026年iPhone 18 Pro的A20 Pro處理器將首度采用臺積電2nm制程生產,芯片價格將因此上揚,漲幅高達70%。隨著成本高漲,iPhone 18 Pro手機報價可能調漲。

        這一背景下,如何克服成本難題,以推動2nm芯片盡快量產商用成為廠商一大考驗。

        對此,報道指出,臺積電將在2nm芯片生產中提供一種名為CyberShuttle的服務,允許客戶在同一片晶圓中進行測試與評估芯片。CyberShuttle也可以被稱做是晶圓共用服務,一方面節(jié)省客戶大量的設計和光罩生產成本,另一方面加快了測試生產的速度。

        目前尚不清楚臺積電具體的措施,以及成本降低的幅度。不過,考慮到市場對于2nm的需求,以及高昂的生產成本,這些節(jié)約成本的措施是有必要的。

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        Rapidus明年4月試產2nm,已與兩家EDA大廠達成合作

        晶圓代工“新貴”Rapidus公司的2nm進展也在有序推進中,近期Rapidus會長東哲郎對外表示,在2025年3月底,Rapidus將完成試產2nm芯片所需的全部設備設置工作,4月起啟動試產產線,實際生產2nm芯片。

        資料顯示,Rapidus成立于2022年8月,由豐田、Sony、NTT、NEC、軟銀、Denso、鎧俠、三菱UFJ等8家日企共同出資設立。2nm芯片生產中,Rapidus與IBM簽訂了合作協(xié)議,開發(fā)基于IBM 2nm制程技術。

        近期,IBM和Rapidus于IEEE IEDM 2024國際電子元件會議期間,展示了合作的多閾值電壓GAA晶體管成果,有望用于Rapidus的2nm量產。


        圖片來源:IBM

        升級至2納米節(jié)點后,晶體管結構由使用多年的FinFET鰭式場效應晶體管,轉成GAAFET全環(huán)繞柵極場效應晶體管, 如何達多閾值電壓(Multi Vt),讓芯片以較低電壓執(zhí)行復雜計算是個挑戰(zhàn)。

        IBM強調,2nm制程N型和P型半導體通道,距離相當狹窄,需精確曝光達到多閾值電壓,也不影響半導體性能。IBM攜手Rapidus導入兩種選擇性減少層(SLR)芯片構建,成功達成目標。IBM研究院高級技術人員Bao Ruqiang表示,與FinFET相較,Nanosheet納米片結構非常不同,且更復雜。新技術比以前方法更簡單。相信將使合作伙伴Rapidus更容易可靠量產2納米芯片。

        此外,在上游EDA環(huán)節(jié),Rapidus還得到了來自EDA大廠的助力。近期Rapidus宣布已經與Synopsys和Cadence簽署2nm合作協(xié)議,其中,Rapidus與Cadence的合作,將支持Rapidus采用背面供電網絡 (BSPDN)技術的2nm GAA工藝,為客戶提供設計解決方案和IP組合;Rapidus與Synopsys在EDA流程、IP和專家方法服務方面的廣泛合作,有望使設計人員能夠為Rapidus 2nm GAA 工藝實現(xiàn)最佳結果質量和高制造良率。



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