美光MRDIMM創新技術打造最高性能、低延遲主存，為數據中心工作負載加速

美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復用雙列直插式內存模塊（MRDIMM）。該款 MRDIMM 將賦能美光客戶應對日益繁重的工作負載，從而最大化計算基礎設施的價值。對于需要每個 DIMM 插槽內存超過 128GB 的應用，美光 MRDIMM 提供最高帶寬、最大容量、最低延遲以及更高的每瓦性能，在加速內存密集型虛擬化多租戶、高性能計算和 AI 數據中心工作負載方面，表現優于當前的 TSV RDIMM。該款全新內存產品為美光 MRDIMM 系列的首代，將與英特爾^? 至強^? 6 處理器兼容。

美光副總裁暨計算產品事業群總經理Praveen Vaidyanathan表示：“美光最新的創新主存解決方案 MRDIMM 為下一代服務器平臺提供了亟需的帶寬和容量，并降低了延遲，旨在擴展 AI 推理和高性能計算應用。MRDIMM 在提供與 RDIMM 相同的可靠性、可用性、適用性和接口的同時，顯著降低了每項任務的能耗，為客戶帶來了性能可擴展的靈活解決方案。美光與業界的緊密合作，確保該解決方案能與現有服務器基礎設施無縫集成，并順利過渡到未來的計算平臺。”

通過實施 DDR5 的物理和電氣標準，MRDIMM 實現了內存技術的突破，使單核心的帶寬和容量得以擴展，為未來的計算系統提供堅實保障，并能滿足數據中心工作負載日益增長的需求。與 RDIMM 相比，MRDIMM 具有以下優勢：

●   有效內存帶寬提升高達 39%

●   總線效率提升超過 15%

●   與RDIMM相比，延遲降低高達 40%

MRDIMM 支持從 32GB 到 256GB 廣泛的容量選擇，涵蓋標準型和高型外形規格（TFF），適用于高性能的 1U 和 2U 服務器。得益于 TFF 模塊優化的散熱設計，在同等功耗和氣流條件下，DRAM 溫度可降低高達 20 攝氏度，為數據中心帶來更高效的散熱，并優化內存密集型工作負載的總系統任務能耗。美光憑借業界領先的內存設計和制程技術，在 256GB TFF MRDIMM 上采用 32Gb DRAM 芯片，實現了與采用 16Gb 芯片的 128GB TFF MRDIMM 相同的功耗表現。在最大數據傳輸速率下，256GB TFF MRDIMM 的性能比相同容量的 TSV RDIMM 提升 35%。與 TSV RDIMM 相比，使用 256GB TFF MRDIMM，數據中心可以獲得前所未有的總體擁有成本（TCO）優勢。

英特爾副總裁兼數據中心至強 6 產品管理總經理 Matt Langman 表示：“借助 DDR5 接口和技術，MRDIMM 實現了與現有英特爾? 至強? 6 處理器平臺的無縫兼容，為客戶帶來了更高的靈活性和更多選擇。MRDIMM 為客戶提供全面的選項，包括更高的帶寬、更低的延遲以及多樣的容量規格，適用于高性能計算、AI 及多種工作負載，且這一切均在同一支持標準 DIMM 的英特爾? 至強? 6 處理器平臺上實現。我們的客戶將從美光廣泛的 MRDIMM 產品組合中受益，這些產品涵蓋從 32GB 到 256GB 的不同容量，包括標準和高型兩種外形規格，并將與英特爾? 至強? 6 平臺進行驗證。”

聯想集團副總裁兼人工智能和高性能計算總經理 Scott Tease 表示：“隨著處理器和 GPU 供應商提供的產品核心數呈指數級增長，所需的內存帶寬卻未能跟上這一趨勢，以滿足系統性能平衡的需求。針對內存密集型任務，如 AI 推理、AI 再訓練以及眾多高性能計算工作負載，美光 MRDIMM 將助力縮小帶寬差距。我們與美光的合作愈發緊密，致力于為我們共同的客戶提供平衡、高性能、可持續的技術解決方案。”

美光 MRDIMM 現已開售，并將于 2024 年下半年批量出貨。后續幾代 MRDIMM 產品將繼續提供比同代 RDIMM 高 45% 的單通道內存帶寬。