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鎧俠公布藍(lán)圖：2027年實(shí)現(xiàn)1000層3D NAND堆疊

• 近日，據(jù)媒體報(bào)道，日本存儲(chǔ)芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖，目標(biāo)2027年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示，自2014年以來，3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長(zhǎng)，從初期的24層迅速攀升至2022年的238層，短短8年間實(shí)現(xiàn)了驚人的10倍增長(zhǎng)。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長(zhǎng)速度，預(yù)測(cè)到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時(shí)間早了近3年，據(jù)日本媒體今年4月報(bào)道，鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)演講會(huì)上表示，公司計(jì)劃于2030至2031
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