Intel 3 “3nm 級”工藝技術正在大批量生產

英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術已在兩個工廠進入大批量生產，并提供了有關新生產節點的一些額外細節。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應用。該節點針對的是英特爾自己的產品以及代工客戶。它還將在未來幾年內發展。

英特爾代工技術開發副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進行大批量生產，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器。

英特爾 3 制程技術（圖片來源：英特爾）
英特爾一直將其英特爾 3 制造工藝定位為針對數據中心應用，這些應用需要通過改進的晶體管（與英特爾 4 相比）、降低晶體管通孔電阻的供電電路以及設計協同優化來實現領先的性能。生產節點支持 <0.6V 低壓和 >1.3V 高壓，以實現最大負載。在性能方面，英特爾承諾，與英特爾 18 相比，新節點將在相同的功率和晶體管密度下實現 3% 的性能提升。


英特爾 3 制程技術（圖片來源：英特爾）
為了獲得性能和密度優勢的最佳組合，芯片設計人員將不得不使用 240nm 高性能和 210nm 高密度庫的組合。此外，英特爾客戶可以在三種金屬堆棧之間進行選擇：14 層用于成本，18 層用于性能和成本之間的最佳平衡，以及 21 層金屬層用于提高性能。

英特爾 3 制程技術（圖片來源：英特爾）
目前，英特爾將使用其 3nm 級工藝技術使其至強 6 處理器成為數據中心。最終，英特爾晶圓代工廠將使用生產節點為其客戶制造數據中心級處理器。

英特爾 3 制程技術（圖片來源：英特爾）
除了基礎英特爾 3 之外，該公司還將提供英特爾 3T，它支持硅通孔，可用作基礎芯片。未來，英特爾將為芯片組和存儲應用提供功能增強的英特爾 3-E，以及性能增強的英特爾 3-PT，可用于各種工作負載，如 AI/HPC 和通用 PC。