3D NAND，1000層競爭加速

據(jù)國外媒體Xtech Nikkei報道，日本存儲芯片巨頭鎧俠（Kioxia）首席技術官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學的應用物理學會春季會議上宣布，該公司計劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。

眾所周知，在所有的電子產(chǎn)品中，NAND閃存應用幾乎無處不在。而隨著云計算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展，以SSD為代表的大容量存儲產(chǎn)品需求高漲，堆疊式閃存因此而受到市場的青睞。

自三星2013年設計出垂直堆疊單元技術后，NAND廠商之間的競爭便主要集中在芯片層數(shù)上。隨著3D堆疊時代的到來，在三星、鎧俠、SK海力士等存儲廠商的不斷推動下，NAND Flash閃存堆疊層數(shù)不斷被刷新。

目前，各大廠商的NAND閃存堆疊層數(shù)均已突破200層，并持續(xù)向更高層數(shù)的NAND Flash邁進，其中三星和鎧俠更是將目標瞄準1000層。根據(jù)此前的消息，三星計劃在2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層），2030年前實現(xiàn)1000層NAND Flash。

NAND Flash價格回漲

受消費電子市場需求不振、市場經(jīng)濟逆風等因素影響，存儲器產(chǎn)業(yè)經(jīng)過了較為漫長的低迷時期。其中NAND Flash產(chǎn)品合約價自2022年第三季開始連續(xù)四個季度下跌，直到2023年第三季開始起漲。隨后，自2023年第四季度開始，存儲器市場開始逐漸反彈，NAND Flash價格也開始回漲。

市場研究機構TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續(xù)受供應商庫存降低，以及減產(chǎn)效應影響，預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。

從各品類來看，集邦咨詢預估，2024年第二季度，Enterprise SSD合約價漲幅為全線產(chǎn)品最高，季增20~25%；eMMC、UFS、Client SSD合約價將分別季增10~15%，NAND Flash Wafer漲幅則較第一季大幅收斂，預估季增5~10%。