沖刺 1nm 制程，日本 Rapidus、東京大學與法國研究機構合作開發(fā)尖端半導體

IT之家 11 月 17 日消息，據(jù)《日本經(jīng)濟新聞》當?shù)貢r間今日凌晨報道，日本芯片制造商 Rapidus、東京大學將與法國半導體研究機構 Leti 合作，共同開發(fā)電路線寬為 1nm 級的新一代半導體設計的基礎技術。

報道稱，雙方將從明年開始展開人員交流、技術共享，法國研究機構 Leti 將貢獻其在芯片元件方面的專業(yè)技術，以構建供應 1nm 產品的基礎設施。

雙方的目標是確立設計開發(fā)線寬為 1.4nm-1nm 的半導體所需要的基礎技術。制造 1nm 產品需要不同于傳統(tǒng)的晶體管結構，Leti 在該領域的成膜等關鍵技術上具備較為雄厚的實力。

與 2nm 相比，1nm 技術可將計算性能和效率提升 10-20%。Rapidus 已經(jīng)與 IBM 和比利時研發(fā)集團 Imec 合作，以實現(xiàn) 2027 年量產 2nm 芯片的目標，預計 1nm 半導體最快在 2030 年代進入主流。同時，IBM 也考慮在 1nm 領域與 Rapidus 進行合作。

另據(jù)IT之家此前報道，荷蘭大型半導體制造設備廠商 ASML 將在 2024 年下半年之前在日本北海道新建技術支持基地。Rapidus 公司正在力爭量產最先進半導體，ASML 將為 Rapidus 提供工廠建設和維護檢查等協(xié)助，到 2028 年前后將日本國內人員增加 40%。