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        大聯(lián)大世平推出基于onsemi產(chǎn)品的電動(dòng)汽車充電樁方案

        作者: 時(shí)間:2023-08-01 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        2023年8月1日,致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美()NTBG022N120M3S和NCD57084產(chǎn)品的(EV)方案。

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202308/449156.htm

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        圖示1-大聯(lián)大世平基于產(chǎn)品的(EV)方案的實(shí)體圖 

        隨著在全球的滲透率逐漸提升,的需求也大幅激增。然而由于EV充電樁的用電量動(dòng)輒高達(dá)數(shù)百KW,因此要格外注意用電的品質(zhì)及效率,否則勢必會(huì)造成電力供應(yīng)問題。在這種情勢下,基于安森美()NTBG022N120M3S SiC MOSFET和NCD57084隔離驅(qū)動(dòng)IC推出電動(dòng)汽車(EV)充電樁方案,可適用于600V~900VDC(Max)及6KW輸出的EV充電樁產(chǎn)品。 

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        圖示2-基于onsemi產(chǎn)品的電動(dòng)汽車(EV)充電樁方案的場景應(yīng)用圖 

        NTBG022N120M3Sonsemi旗下1200V SiC MOSFET,其針對(duì)快速開關(guān)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化,Rds_onMax30mohm@18VVgs),柵極電荷Qg(tot)151nC、容抗Coss146 pF,該器件適合應(yīng)用在高電壓、大電流及高速切換的操作條件,Vgs(閘源極)最大電壓范圍為-10V-+22V,憑借這些特性,使得該產(chǎn)品能夠在開關(guān)操作中具有低功耗、高效率和高溫穩(wěn)定性。 

        NCD57084是一款高電流單通道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,具有2.5kVrms內(nèi)部電流隔離,專為高功率應(yīng)用而設(shè)計(jì),具有高系統(tǒng)效率和可靠性。該驅(qū)動(dòng)器采用SOIC-8封裝,具有軟關(guān)斷和故障報(bào)告檢測功能。此外,該產(chǎn)品還具有低輸出阻抗,可用于增強(qiáng)型IGBT驅(qū)動(dòng),提供3.3V20V寬輸入偏置電壓范圍和信號(hào)電平,以及高達(dá)30V的寬輸出偏置電壓范圍,支持+7A/-7A高峰值輸出電流。不僅如此,該器件傳播延遲時(shí)間短,可以做到精準(zhǔn)匹配,并且UVLO閾值小,能夠?qū)崿F(xiàn)偏置靈活性。 

        除此之外,方案中還配備高效率輔助電源及DC-DC轉(zhuǎn)換器,可進(jìn)一步提升EV充電樁的充電效率及可靠性。  

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        圖示3-基于onsemi產(chǎn)品的電動(dòng)汽車(EV)充電樁方案的方塊圖 

        在汽車電動(dòng)化的熱潮下,EV充電樁也將迎來黃金發(fā)展時(shí)期,對(duì)此大聯(lián)大世平將結(jié)合自身豐富的技術(shù)經(jīng)驗(yàn)與onsemi共同加深方案整合能力,為電動(dòng)汽車發(fā)展賦能。 

        核心技術(shù)優(yōu)勢

        ?   NTBG022N120M3S1200VSiC MOSFETonsemi第三代半導(dǎo)體碳化硅MOSFET

        ?  1200V SiC MOSFET

        ?  Rds_onMax=30mohm@18VVgs);

        ?  Gate Charge Qgtot=151nC

        ?  容抗Coss=146pF,適合應(yīng)用在高電壓,大電流及高速切換等操作條件;

        ?  Vgs(閘源極)最大電壓范圍為-10V+22V

        ?  建議Vgs sop操作電壓-3V+18V 

        ?   NCD57084 onsemi IGBT隔離驅(qū)動(dòng)IC

        ?  具有可程式設(shè)計(jì)延遲的DESAT保護(hù);

        ?  負(fù)電壓(低至-9V)能力,適用于DESAT

        ?  短路期間的IGBT柵極箝位;

        ?  IGBT柵極有源下拉;

        ?  IGBT短路期間軟關(guān)斷;

        ?  嚴(yán)格的UVLO準(zhǔn)位,實(shí)現(xiàn)偏差Bias靈活性;

        ?  UVLO/DESAT期間的輸出部分脈沖回避(重新啟動(dòng));

        ?  3.3V5V15V邏輯電壓準(zhǔn)位輸入;

        ?  2.5kVrms電壓;

        ?  高瞬態(tài)抗擾度;

        ?  高電磁抗擾度。

        ?   高效率輔助電源及DC-DC轉(zhuǎn)換器:

        ?  在此開發(fā)板中,一次側(cè)驅(qū)動(dòng)電路是由外部電源提供,規(guī)格為12V/1A,二次側(cè)由NCV3064 IC組成高效率輔助電源,提供+12V+18V-3.5VDC電壓供驅(qū)動(dòng)電路使用。 

        方案規(guī)格:

        ?   輸入電壓:600V to 800VDC(最大可允許900VDC);

        ?   輸出功率:6kW

        ?   輸出電壓:600V

        ?   輸出電流:10A

        ?   操作頻率:50kHz



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