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        新思科技Design Compiler NXT獲三星Foundry認證

        —— 用于5/4納米FinFET工藝技術
        作者: 時間:2020-07-23 來源:美通社 收藏

        重點:

        本文引用地址:http://www.104case.com/article/202007/416030.htm
        • 通過采用Design Compiler NXT可以使得報告運行時間大大減少,同時PPA有所提高。

        • 時鐘與數據同步優化技術等新優化技術有利于于在高級節點上實現PPA目標

        • 受益于Design Complier NXT, Foundry客戶在認證過程中提供8%至10% PPA提高以及2倍的吞吐量

        (Synopsys, Inc.)(Nasdaq: SNPS)今天宣布,Design Compiler? NXT綜合解決方案已經獲Foundry認證,用于其5/4納米FinFET工藝技術。Design Compiler NXT是Fusion Design Platform?解決方案的一部分,是RTL綜合工具Design Compiler系列的最新創新,擴展了Design Compiler Graphical市場領先的綜合地位。自2019年3月推出以來,它已經獲得100多個客戶的采用部署。

        Design Compiler NXT采用快速、高效的優化引擎,以及不以犧牲QoR為前提的全新分布式綜合技術。采用Design Compiler NXT的客戶反饋說明運行時間大大減少,同時功耗、性能、面積(PPA)有所提高。在5/4納米FinFET工藝中,Samsung Foundry觀察到使用Design Compiler NXT PPA可提高8%至10%、吞吐量提高2倍。

        電子設計技術團隊副總裁Sangyun Kim表示:“作為先進節點代工服務的領先供應商,我們努力為客戶提供滿足或超過其PPA目標的生產硅。通過與新思科技的廣泛合作,我們確保客戶能夠使用上同類中最好的工具,如用于三星Foundry 5/4納米FinFET工藝的Design Compiler NXT,助力其成功實現PPA目標。”

        Design Compiler NXT中的新優化技術包括功耗驅動的映射和結構化技術,時鐘與數據同步優化技術(CCD),這對于在最先進工藝上實現PPA目標至關重要。為了實現在先進工藝節點下的緊密一致性和卓越QoR,Design Compiler NXT與新思科技IC Compiler? II布局布線解決方案共享通用庫以及多種先進布局技術,并且采用了一種全新的、高度精確的電阻和電容估計方法,并匹配先進工藝節點所需的能力。

        新思科技Design Group工程副總裁Abhijeet Chakraborty表示:“通過我們與三星Foundry的合作,我們的共同客戶將受益于Design Compiler NXT改進的運行時間、QoR以及三星Foundry的5/4納米FinFET工藝的收斂性。隨著100多家客戶部署的完成,Design Compiler NXT的創新通過提供無與倫比的QoR增益及加速取得結果的時間,使成熟和新興的工藝節點客戶受益。我們致力于不斷為我們的Design Compiler系列產品帶來一流的綜合創新。”



        關鍵詞: 新思科技 三星

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