臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術 2021年試產

盡管2020年全球半導體行業會因為疫情導致下滑,但臺積電的業績不降反升,掌握著7nm、5nm先進工藝的他們更受客戶青睞。今天的財報會上,臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預定在2022年下半年量產。

臺積電原本計劃4月29日在美國舉行技術論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過這個技術會議已經延期到8月份,今天的Q1財報會議上才首次對外公布3nm工藝的技術信息及進度。

臺積電表示,3nm工藝研發符合預期,并沒有受到疫情影響,預計在2021年進入風險試產階段,2022年下半年量產。

在技術路線上,臺積電評估多種選擇后認為現行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,所以3nm首發依然會是FinFET晶體管技術。

在3nm節點上,臺積電最大的對手是三星,后者押注3nm節點翻身,所以進度及技術選擇都很激進,將會淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環繞柵極晶體管。

根據三星的信息,相較于7nm FinFET工藝,3nm工藝可以減少50%的能耗,增加30%的性能。

至于量產時間,三星之前計劃在2021年量產,不過因為疫情影響,現在也推遲到了2022年,但沒有明確是上半年還是下半年,他們與臺積電誰能首發3nm工藝還沒定論。

隨著3nm工藝的臨近,人類正在逼近硅基半導體的極限,此前臺積電有信心將工藝推進到2nm甚至1nm,但還是紙面上的,相關技術并沒有走出實驗室呢。

如果不能解決一系列難題,3nm工藝很有可能是未來CPU等芯片的極限了。