臺積電：摩爾定律依然有效 晶體管將能做到0.1納米

近日，據臺灣地區《經濟日報》報道，臺積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森表示，毋庸置疑的，摩爾定律依然有效且狀況良好，它沒有死掉、沒有減緩、也沒有帶病，并透露晶體管將能做到0.1納米。

1965年提出的摩爾定律（Moores Law）引領半導體發展超過半世紀，這個定律主要是指芯片上可容納的晶體管數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。

但摩爾定律有沒有走到極限？走到極限未來會是什么樣的發展？這是近幾年來全球科技界業討論相當多的問題。

近幾年，互補金屬氧化物半導體（CMOS）先進制程中，最新幾代納米節點的功耗改善程度，已出現明顯的放緩。科技界觀察到，從45納米到14納米的節能數據可以看出，雖然每一代制程，芯片的面積變得越來越小，但能夠達到的能耗縮減幅度卻越來越小，尤其在14納米初期最為明顯。近二、三年進入更先進的10納米制程，也有類似狀況。這不禁讓人憂心，摩爾定律是否即將走到盡頭？

對此，在本周開幕的第31屆HotChips大會專題演講中，臺積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森表示，摩爾定律依然有效且狀況良好。

對于未來的技術路線，黃漢森認為像碳納米管（1.2nm尺度）、二維層狀材料等可以將晶體管變得更快、更迷你；同時，相變存儲器（PRAM）、旋轉力矩轉移隨機存取存儲器（STT-RAM）等會直接和處理器封裝在一起，縮小體積，加快數據傳遞速度；此外還有3D堆疊封裝技術。

黃漢森強調，社會對先進技術的需求是無止境的，他還強調，除了硬件，軟件算法也需要迎頭趕上。