臺積電推出N7P和N5P制程

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晶圓代工龍頭臺積電先進制程又有新產品推出！根據國外科技媒體《anandtech》報導，臺積電已悄然推出 7 納米深紫外 DUV（N7）和 5 納米極紫外 EUV（N5）制程的性能增強版本。兩代號稱為 N7P 和 N5P 制程技術，專門為需要 7 納米設計運算更快，或消耗電量更少的客戶所設計。

報導指出，臺積電全新 N7P 制程技術采用與 N7 相同設計規則，但優化前端（FEOL）和中端（MOL）架構，可在相同耗能下，將性能提升 7%，或者在相同的性能頻率下，降低 10% 的能耗。

全新的 N7P 制程技術，臺積電最早是于今年在日本舉辦的 VLSI 研討會透露相關訊息，不過沒有廣泛宣傳。N7P 目前采用經驗證的深紫外（DUV）光刻技術，與 N7 制程技術相比，沒有改變電晶體密度。針對需要電晶體密度高出約 18%~20% 的客戶，臺積電預計建議使用 N7+ 或 N6 制程技術。N6 制程技術是透過極紫外（EUV）光刻技術進行晶圓多層處理。

報導進一步指出，除了 N7P 的新制程技術，臺積電下一個有顯著電晶體密度提升、改進功耗和性能的主要制程節點，就是 5 納米 N5 制程技術。臺積電為此特提供定名為 N5P 的性能增強版本，采用 FEOL 和 MOL 優化功能，以便在相同功率下使芯片運行速度提高 7%，或在相同頻率下將功耗降低 15%。