初生已成虎狼之勢，國產大硅片企業自有燎原之法？

　　洛陽麥斯克

　　洛陽麥斯克電子材料有限公司(簡稱：MCL)創建于1995年12月。主要產品是生產大規模集成電路級(IC級)4英寸、5英寸、6英寸和8英寸硅拋光片。

　　MCL是全球性硅片供應商之一。產品主要銷往世界各地。如：美國、韓國、新加坡、日本、印度、中國香港等，同時保證國內外知名企業的產品供應。

　　為了使MCL成為世界上先進的硅片供應商，MCL在成立之初就按照ISO9002標準建立了比較完整的管理體系。并于1998年1月15日通過了SGS YARSHLEY和中國賽寶質量認證中心的管理體系認證。2001年5月通過了這兩家公司的ISO9001：2000版的認證。2004年12月通過了SGS審核的TS16949認證，2007年2月又通過了ISO14001認證。

　　產品信息：

　　上海晶盟

　　上海晶盟硅材料有限公司隸屬于合晶科技股份有限公司，合晶科技股份有限公司成立于1997年，創始團隊來自美國硅谷及國內半導體產業，團隊成員皆在半導體產業深耕已久。合晶目前已成為全球前十大半導體硅芯片材料供貨商之一。主要產品為半導體級拋光硅芯片與半導體級外延片。

　　產品信息：

　　拋光片：合晶科技主要的拋光片為4～8吋低缺陷、高平坦度的硅芯片， 同時提供硼、磷、砷、銻等不同摻雜的硅芯片以供客戶不同應用所需，并針對目前節能趨勢提供低阻超重摻硅芯片技術以滿足功率組件降低開路電阻(RDS(on))的需求。

　　外延片：除拋光片外，合晶科技亦提供高質量4"～8" 外延片及埋層外延代工以滿足客戶對CMOS與功率組件的需求， 以達成對客戶one stop shopping的服務。

　　申和熱磁

　　上海申和熱磁電子有限公司是由日本磁性流體技術株式會社投資于上海寶山城市工業園區的全資公司。公司創立于1995年5月，現投資總額175.8億日元，注冊資本90.8億日元。

　　上海申和熱磁電子有限公司下設TE事業部、新能源材料事業部、半導體硅片事業部、表面處理事業部、洗凈事業部。主要產品包括8英寸(含8英寸)以下各種規格的太陽能級單、多晶硅錠和單、多晶硅片， 4”-6”MOS、微波電路、存儲器電路及大功率器件使用的外延襯底重摻的半導體研磨片和拋光片，半導體熱電材料，覆銅陶瓷基板，精密零部件洗凈再生和電鍍服務。產品涉及電子、半導體、太陽能發電等產業領域。產品受到國內外客戶的認可好評。

　　產品信息：

　　半導體硅片：2002年，上海申和半導體硅片事業部從日本東芝陶瓷引進先進的4～6inch硅片生產線，采用日本先進的生產工藝技術和生產管理模式，主要生產4”-6”MOS、微波電路、存儲器電路及大功率器件使用的外延襯底重摻的半導體研磨片和拋光片。年生產能力達500萬片，產業規模和產品質量水平位居中國前列。

　　中環環歐

　　天津市環歐半導體材料技術有限公司成立于2000年，國有控股企業，前身為天津半導體材料廠，是我國最早的半導體材料專業生產廠家之一，擁有50余年的半導體晶體生產歷史和專業經驗。公司經營的產品全部由公司獨立開發和生產，擁有多項國家授權發明專利，形成了直拉單晶硅、區熔單晶硅、直拉硅片、區熔硅片四大產品系列。環歐區熔硅單晶/片的國內市場占有率超過75%以上，全球市場占有率超過18%，成為中國最大、全球第三的經銷商。

　　2008年開始環歐公司先后投資成立了天津中環領先材料技術有限公司(主要產品：拋光片)、內蒙古中環光伏材料有限公司(主要產品：太陽能硅片)、內蒙古歐晶石英有限公司(主要產品：石英堝)、天津環歐國際硅材料有限公司(貿易公司)、呼和浩特市歐通能源科技有限公司(主要 產品：再生砂)。各子公司的組建延伸了環歐公司的產業鏈，拓展了產品應用領域，為進一步拓展國內外市場提供了強有力的保障。

　　產品信息：

　　本征及超高阻區熔硅單晶(FZ-Silicon)：通過區熔工藝拉制的低雜質含量、低缺陷密度，晶格結構完美的硅單晶，晶體生長過程中不引入任何雜質，其電阻率通常在1000Ωcm 以上，主要用于制作高反壓器件和光電子器件。

　　中子輻照區熔硅單晶(NTDFZ-Silicon)：本征區熔硅單晶通過中子輻照可獲得高電阻率均勻性的硅單晶，保證了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶體管(GTR)、晶閘管(GRO)、靜電感應晶閘管(SITH)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、超高壓二極管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等，是各類變頻器、整流器、大功率控制器件、新型電力電子器件的主體功能材料，也是多種探測器、傳感器、光電子器件和特殊功率器件等的主體功能材料。

　　氣相摻雜區熔硅單晶(GDFZ-Silicon)：利用雜質的擴散機理，在用區熔工藝拉制硅單晶的過程中加入氣相雜質，從根本上解決了區熔工藝摻雜困難的問題，可得到任意導電型號、寬電阻率范圍、電阻率均勻性與中子輻照相當的大直徑低成本區熔氣摻硅單晶，其電阻率在0.01-200Ω.cm，少子壽命達500-2000s，徑向電阻率不均勻性≤10%，。適用于制作各類半導體功率器件、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、高效太陽能電池等。

　　直拉區熔硅單晶(CFZ-Silicon)：采用直拉與區熔兩種工藝相結合的方式拉制硅單晶，產品質量介于直拉單晶和區熔單晶之間。可摻入特殊元素例如鎵(Ga)、鍺(Ge)等。采用直拉區熔法制備的新一代CFZ太陽能硅片，其各項性能指標均遠優于當前全球光伏產業使用的各類硅片，太陽能電池轉換效率高達24-26%。產品主要應用于特殊結構、背接觸、HIT等特殊工藝制作的高效太陽能電池上，并更為廣泛的用于LED、功率器件、汽車、衛星等眾多產品和領域中。

　　寧夏銀和

　　寧夏銀和半導體科技有限公司成立于2015年。公司主要經營半導體晶錠、硅片的生產、銷售及進出口;半導體集成電路零部件生產、配套、銷售及進出口;半導體材料的研發、咨詢服務。

　　產品信息：

　　今年3月，總投資16億元的寧夏銀和半導體科技有限公司大尺寸半導體硅片項目在銀川經濟技術開發區開工。該項目建成后，可年產420萬片8英寸半導體級單晶硅片和年產240萬片12英寸半導體級單晶硅片。

　　中晶(嘉興)半導體

　　中晶(嘉興)半導體有限公司年產480萬片300mm大硅片項目選址嘉興科技城產業加速與示范區。其中一期投資60億元，固定資產投資超56億元，用地面積139畝，計劃建設300mm單晶硅片生產線。

　　項目計劃于2021年2月竣工投產，建成后規劃年產能可達480萬片300mm大硅片，預計實現年銷售產值達35億元。該項目投資強度可達每畝4080萬元，年產出可達每畝2450萬元，年稅收不低于每畝200萬元，具有投資強度大、土地使用率高、產出效益高、稅收貢獻大等特點。

　　總結

　　雖然目前與國外企業差距甚大，但是中國企業的追趕也已經起步。中國企業在半導體大硅片材料、設備領域較為薄弱，需要與國際領軍企業交流學習技術，借鑒成功經驗，發展壯大。助力中國半導體產業的崛起。

　　在未來的數年，物聯網、人工智能、汽車電子的火熱，勢必會持續推動半導體市場的發展，全球晶圓廠關閉潮，與國內瘋狂建晶圓代工廠的現狀，必然給國內帶來巨大的硅片需求，因此建設自主的硅片供應商是勢在必行，國內企業揚帆起航指日可待。