盤點2018年全球電子產業最具代表性的十大“黑科技”

　　三、邏輯器件上的突破性成果

　　邏輯器件作為電子電路的基礎單元，在很多的地方都能應用得到，但是如今是以CMOS器件為主流。2018年12月，《自然》雜志發表了一篇關于一代邏輯器件的研究論文，作者包括英特爾、加州大學伯克利分校和勞倫斯伯克利國家實驗室的研究人員。這篇論文描述了一種由英特爾發明的磁電自旋軌道(MESO)邏輯器件，相較于目前的CMOS器件、MESO器件，有望把電壓降低5倍、能耗降低10-30倍。這項技術研究有望推動計算能效提升，跨越不同的計算架構促進性能增長。

　　二、首次在三維體系中發現量子霍爾效應

　　量子霍爾效應是量子力學版本的霍爾效應，需要在低溫強磁場的極端條件下才可以被觀察到，此時霍爾電阻與磁場不再呈現線性關系，而出現量子化平臺。量子霍爾效應是二十世紀最重要的發現之一，因為研究相關技術獲諾貝爾獎的科學家不少。2018年12月，復旦大學物理學系修發賢課題組在《自然》雜志上刊發了他們的研究成果，這也是中國科學家首次在三維空間中發現量子霍爾效應。據悉，修發賢教授課題組在拓撲狄拉克半金屬砷化鎘材料里觀測到三維量子霍爾效應，通過實驗證明電子的隧穿過程，邁出從二維到三維的關鍵一步，開拓了全新的研究維度，這表明這次新研究是人類向新的科學領域邁出了關鍵性的一大步。

　　一、打破3nm制程極限，科學家成功研發0.7nm二硒化鎢二極管

　　眾所周知，芯片制程與性能的關系密切，目前能量產7nm芯片的廠商并不多，而有些研究機構已經開始研究3nm科技了。就在前不久，某科研團隊的科學家成功研發出0.7nm二硒化鎢二極管，這意味著這項技術可能打破半導體的3nm制程極限，芯片可以容納更多的二極管。這次0.7nm的二硒化鎢二極管研發成功，將為業界看衰半導體制程的人們一顆強心針，具有非常重要的意義。

　　總結：

　　電子產業起源于歐美等發達國家，它們在前沿的技術研究上領先于其它國家很多年，這也是它們的優勢。隨著全球產業的融合，很多發展中國家也開始大量投入對相關技術的研究，其中也包括中國，科學家們不畏艱難、迎難而上，也取得了很多成績，包括材料、設備、制造等，它們是推動電子產業發展的核心，也是最重要的人才，值得我們去尊敬和點贊。