Soitec絕緣硅晶圓成為瑞薩新型SOTBTM能量收集芯片組中核心成員

　　作為設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業，法國Soitec半導體公司今日宣布瑞薩電子公司采用Soitec全耗盡絕緣硅(FD-SOI)晶圓產品線專用版，用于其65nm超低功耗SOTBTM工藝生產。至此，瑞薩新型基于SOTBTM技術的芯片克服了物聯網設備的能源限制，并將功耗降低到目前市場現有產品的十分之一，更加適用于超低功率和能量采集應用。

　　瑞薩利用其獨特的SOTB工藝技術開發出能量收集芯片，該芯片可收集20μA/ MHz的低有效電流和150 nA的深度待機電流。 該產品超低功率性能使其可以在端點幫助連接物聯網傳感設備實現免維護功能。對于從事芯片安裝工藝的消費電子產品開發商而言，如何通過這些傳感器節點內的能量收集功能設計免維護設備，特別是在可穿戴設備、智能家居應用、手表、便攜式設備和基礎設施監控系統中實現免維護功能，變得越來越重要。

　　瑞薩選擇Soitec襯底作為其超薄而均勻的活性層，該襯底是目前在大批量生產的薄晶硅(SOI)下最薄埋氧化物(BOX)。 由于使用了Soitec襯底，瑞薩SOTB芯片組可以增強對晶體管靜電的控制，并將待機和有效電流降低到前所未有的水平。 此外，瑞薩還成功交付了無障礙通道，以抑制超低電壓操作的Vth變化，以及超低功率反偏置控制，同時降低待機電流。

　　Soitec數字電子業務部執行副總裁Christophe Maleville表示： “Soitec與瑞薩團隊在SOTB技術開發方面的緊密合作進一步表明全耗盡設備將徹底改變我們的日常生活。我們很高興能成為瑞薩SOTB系列產品中的一員。我們也期待在推動超低功率設備創新這個生態系統成長方面貢獻自己的綿薄之力。”

　　瑞薩工業解決方案業務部家庭業務部副總裁Toru Moriya先生表示：“為了推動物聯網和消費應用的創新，我們將我們獨有的能量收集技術SOTB集成到我們的能量收集控制器中。我們相信，基于Soitec超薄襯底的瑞薩SOTB技術可以為開發無需電源供應和更換的免維護物聯網設備提供無與倫比的性能，從而促進基于端點智能的全新物聯網市場的發展。”