英特爾：摩爾定律繼續有效，7nm正在路上

　　與非網采訪了英特爾的三位技術專家，他們分別是英特爾公司高級副總裁、英特爾公司首席技術官兼英特爾研究院院長Mike Mayberry、英特爾公司技術、系統架構和客戶端事業部總裁兼首席工程官任沐新博士和英特爾中國研究院院長宋繼強。

　　問題1：工藝節點發展到10nm以下，芯片代工廠面臨哪些挑戰?應該如何應對?

　　Mike Mayberry： CMOS 縮放并未就此終止，隨著我們控制制造能力的提高，我們可以看到它還在持續進步。我們與其說受到物理條件的限制，不如說受到我們以高精度大批量制造的能力的限制。是的，進步很難，我們不期望它會變得更容易，但我們確實希望繼續進步下去。

　　我們從 22 納米節點的 Trigate (FinFET) 開始轉向 3D技術，但更好的例子是我們在 5 月推出的96 層NAND閃存，每個單元 4 位，每個芯片封裝高達 1T bits 的信息。這是一個真正的后登納德 (post-Dennard) 示例，將增加的功能打包到一個沒有特性縮放的裸片中。隨著時間的推移，我們預計邏輯也將朝著 3D技術方向發展。

英特爾公司高級副總裁、英特爾公司首席技術官兼英特爾研究院院長Mike Mayberry

　　我們有一些很有前途的研究設備，例如隧道場效應晶體管 (FET) 和鐵電體，它們可以大幅提高功率性能。不幸的是，它們不是 CMOS 的簡單替代品。因此，我們期望以異構的方式集成這些器件(例如作為分層)，從而將縮放 CMOS 的優點與這些新設備提供的新功能相結合。

　　隨著數據量和數據類型的激增，我們希望將專門打造的新架構快速集成到新的數據世界中。如果我們在物理接口、編程模型、安全性等方面進行標準化，那么異構集成不僅速度更快，而且可以將來自多個團隊的小芯片組合起來。

　　結合了內存和計算的新架構是后波拉克 (post-Pollack) 數據處理的一個例子，其中一個是我們的神經擬態測試芯片Loihi。

　　與傳統軟件工作負載相比，人工智能工作負載通常具有極為不同的內存訪問模式，因此可以利用不同的數據處理架構。

　　我們預期摩爾定律的經濟效益將繼續存在，即使在現在和未來，摩爾定律看起來與戈登·摩爾最初發現的大不相同。因此，我們不要被辯論分散注意力，而是應該繼續提供更好的產品。未來 50 年，我們必須超越我們過去 50 年的成就。

　　問題2：貴公司是否有開發或者支持10nm以下工藝節點的解決方案?在技術研發中遇到了哪些問題?如何得到解決?

　　任沐新博士：我們的7納米制程正在深度研發中，我們在這方面也取得了很好的進展。我們現在還不能給出一個確切的時間表。但是我們通過總結10納米的經驗來幫助定義7納米方面也做出了一些相當明智的選擇。我們正努力的在密度、功耗和性能以及進度的可預測性之間找到最佳平衡點。所以我想你會發現，新方案在這三方面更加平衡。

英特爾公司技術、系統架構和客戶端事業部總裁兼首席工程官任沐新博士

　　因此，我們仍然會繼續提高晶體管密度，但也會注意這個密度和我們一直努力提高的晶體管性能之間的平衡關系，因為晶體管性能在我們的個人電腦業務和服務器業務中都是提高ASP(平均銷售價格)的重要因素。我們也會注意在(預測)產品的發布(時間)方面做到更精確。以上這些都是在我們推進7納米時、從10納米學到的寶貴經驗。我們一直在密切關注7納米的進展，就像我們現在密切關注10納米一樣。我能感覺到在研發進展過程中我們已經很好的吸取了這些經驗;我們正按照所披露的產品路線圖，全力推進我們的產品規劃。

　　英特爾中國研究院院長宋繼強：英特爾持續創新推動半導體制造技術的發展，10納米明年量產，而在10納米的基礎上，7納米的進展也非常好，通過采用超微縮技術，英特爾讓單個芯片的成本加速降低。結合超微縮以及多節點技術集成，英特爾不斷強化以數據為中心的產品領導力。

       在半導體封裝方面，英特爾以“混搭”異構設計，連接不同制程工藝生產出來的“小芯片”，采用全新的2D和3D封裝技術，能夠以超高能效移動設備的功耗，提供強大的PC性能。