中國存儲芯片打破韓美日壟斷局面邁出堅實一步

　　當前全球存儲芯片主要為韓美日三國所占有，中國的三大存儲芯片企業長江存儲、合肥長鑫、福建晉華近期紛紛開始安裝機臺預計今年下半年投產存儲芯片，這將有望打破韓美日壟斷存儲芯片的局面。

　　存儲芯片主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市場份額前五名分別為三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士，市場份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%;在DRAM市場份額前三名分別為三星、SK海力士、美光，市場份額分別為45%、28%、21%。

　　由上可見，全球存儲芯片一哥無疑是三星，其在NAND flash和DRAM市場均占據優勢的市場份額，而按國家來說韓國是全球存儲芯片的龍頭，擁有三星和SK海力士兩大存儲芯片企業。

　　中國是全球最大制造國，對存儲芯片有巨大需求，中國采購的存儲芯片占全球約兩成比例，近兩年全球存儲芯片價格持續上漲對中國產生了巨大影響，導致本來就利潤微薄的行業飽受其苦，要打破這種局面發展自己的存儲芯片無疑是最好的辦法，正是在這種背景下，中國開始積極發展自己的存儲芯片產業。

　　長江存儲、合肥長鑫、福建晉華擔起了這個重任，長江存儲主要發展NAND flash，合肥長鑫和福建晉華主要發展DRAM，三家企業在去年底實現了廠房封頂，近期開始陸續搬入機臺等生產設備，按計劃它們今年下半年將開始試產存儲芯片。

　　當然中國的存儲芯片企業在投產后還需要在技術方面追趕韓美日等存儲芯片企業，長江存儲當下準備投產的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規模投產64層NAND flash，長江存儲希望在未來兩三年實現64層NAND flash的技術突破，將技術差距縮短到兩年內。

　　合肥長鑫、福建晉華計劃投產DRAM，韓國三星當下已開始采用18nm工藝生產DRAM，并正研發更先進的生產工藝，合肥長鑫和福建晉華在投產后預計在工藝方面較這些存儲芯片巨頭還有較大差距，在正式投產后還將面臨著良率問題等，需要時間。

　　值得注意的是，北京兆易創新公司在DRAM技術上取得了突破，其也與合肥市產業投資控股集團達成了合作協議，計劃投資180億元，采用19nm工藝生產存儲芯片，預計今年底前投產，不過它表示希望今年能實現產品良率達到10%，這說明生產存儲芯片面臨著不少的技術難題，只是良率方面就是一個相當大的難題。

　　對于中國龐大的制造業來說，即使中國存儲芯片企業初期在技術方面稍為落后，但是這里對低端存儲芯片依然有強烈需求，這為中國存儲芯片企業提供了生存發展機會，它們總有趕上韓美日存儲芯片企業的一天，中國的許多產業不就是從低端做起，從無到有，從有再到強的發展過程么?